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《清华大学》 2005年
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光致变色多波长多阶存储误码特性的研究

李赫雄  
【摘要】:光致变色多波长多阶存储技术可以在不改变光学系统数值孔径的条件下大幅度的提高光盘存储密度与容量,并且为编码提供了更多的选择空间,但也带来许多传统光盘存储中不存在的新问题,误码特性就是其中之一。本文研究了光致变色多波长多阶存储过程中的误码特性,并在此基础上提出了一种适合于光致变色多波长多阶存储的纠错编码方案,主要内容包括: 基于光化学原理建立了光致变色单波长多阶存储和多波长多阶存储写入和读出过程中反射率与介质厚度、介质灵敏度、介质浓度、写入功率和写入时间之间的关系模型。并对该模型简化,建立了反射率的变化率与介质层厚度变化率之间的关系,研究了误码率与介质层厚度变化率之间的量化关系。对于650nm、780nm和532nm材料,要满足8阶存储初始误码率的要求,介质层厚度变化率需要控制在2.5%以内。 通过对多波长多阶写入和读出模型,对串扰率与误码率之间的关系的分析研究。针对于650nm、780nm和532nm材料实现多阶存储的技术条件进行评估,计算出满足8阶存储初始误码率的必要条件是串扰率应控制在3%以内。并通过实验验证了上述理论分析是正确的。 采用对数据重复多次读取分析SDR的办法,对数据读出过程中光学通道的误码特性和信道对误码率的影响进行分析研究,并提出了一种适合于光致变色多波长多阶存储的纠错编码方案。该方案将多阶和多波长都转化为多层,并且各层之间的影响综合考虑,采用了纠错和纠删相结合的RS-PC纠错码。对于三波长8阶存储,与将各层作为相互独立的存储方法相比,可将信息容量提高6.7%。另外,解码效率比各层单独解码有所提高。在对以后光致变色多波长多阶光盘实际应用有重要的理论和实用意义。
【学位授予单位】:清华大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2005
【分类号】:TP333

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