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《清华大学》 2007年
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基于氧化锡和碳双层薄膜的表面发射阴极阵列的制作

徐亿勇  
【摘要】: 本文主要研究利用氧化锡作为起伏层制作双薄膜型场发射显示(DF-SED,Double Film Surface Emission Display)器件,证明基于SnOx的DF-SED薄膜制造工艺能够与电极等其它工艺相兼容,从而提供一种简单而廉价地制造场发射平板显示器件的方法。在试验了多种薄膜的发射特性的基础上,成功制作了一个小型SED平板显示阴极阵列。 论文首先简要介绍了SED的发展情况和现状。然后阐述了DF-SED的原理和设计思路,即通过起伏层和传导层相结合的方法,放宽材料的选择余地,并且大大减少了激活时间和生产成本。通过对Bi2O3、SnOx、阳极氧化Al2O3、热氧化Al2O3等多种起伏层的试验和比较,选定SnOx作为下一步阴极发射阵列的起伏层材料。 在器件制作方面,文章给出了基于SnOx /C的DF-SED阴极阵列的详细的器件设计、工艺流程和工艺参数。并对所得的的30*30的DF-SED阴极阵列进行了测试。测试结果表明基于SnOx的DF-SED阴极阵列能够产生均匀稳定的电子发射,为小型DF-SED器件的制作打下了基础。
【学位授予单位】:清华大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2007
【分类号】:TN141

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