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《北京交通大学》 2011年
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ZnO薄膜的合成与特性的研究

郜展  
【摘要】:由于ZnO具有宽禁带(室温带隙3.37eV)和高激子结合能(60 meV)性质,使其制备的光电器件可在室温甚至更高的温度下工作,因而ZnO基材料在光电器件各个领域有广泛的应用。本文用湿化学合成法生长合成了ZnO列阵和薄膜,并对其特性进行了研究,主要工作如下: 1、在经过不同处理的硅衬底:ODS化学处理的硅衬底上、Au过渡层的硅衬底上以及AlN过渡层的硅衬底上用湿化学法生长了ZnO六角结构紧密排列微纳米棒,并对不同种子层生长的ZnO微纳米棒的形貌、晶体结构及发光性质进行了研究。 2、在ZnO过渡层的硅衬底上用湿化学法生长了ZnO薄膜,并对其结构和光学性质进行了研究。研究结果表明ZnO晶体薄膜是单一C轴方向生长的较好的纤维锌矿结构,且杂质和缺陷密度较低。
【学位授予单位】:北京交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:O484.1

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