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《北京工业大学》 2001年
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新结构低功耗IGBT研究

陆秀洪  
【摘要】: 本文提出了一种新结构的IGBT,命名为低功耗IGBT(LPL-IGBT)。它的 设计基于这样一种思路:保留NPT-IGBT在n~-单晶衬底上制造、离子注入形成超 薄且轻掺杂的背p~+发射区的特点,从而保留了NPT-IGBT的性能优点;同时在 耐压层中引入n~+缓冲层,大大减薄n~-耐压层厚度以降低功率损耗。它的制作方 法如下:对n~-单晶硅片进行双面深结扩散,然后去除其中一面扩散层并在n~-上 制作MOSFET结构,再减薄另一面的扩散层,得到一定厚度的预扩散层的残留 层,然后硼注入制作背p~+发射区并制作背面电极。与FSIGBT相比,LPL-IGBT 的n~+缓冲层厚度达几十微米,不存在耐压和漏电流不易保证的缺点,因而更适 合实际生产。计算机仿真显示,LPL-IGBT的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT 减小一倍左右,实验的初步结果一定程度上证实了LPL-IGBT在功耗性能上的优 越性。
【学位授予单位】:北京工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2001
【分类号】:TN34

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