ULSI铜互连线微观结构和应力研究
【摘要】:
本论文从ULSI铜互连技术可靠性研究中的铜扩散失效问题出发,针对电徙动失效、应力迁移失效、层间扩散失效问题,对铜互连线的微观结构和应力进行了研究。铜互连线微观结构研究包括铜薄膜晶粒尺寸和织构的研究以及扩散阻挡层的研究。铜互连线的应力研究包括铜互连线薄膜的宏观应力测量,计算机的应力模拟和铜互连线的局域应力分布观察。
1.铜互连线的微观结构的研究:通过AFM、SEM、TEM等的分析方法对铜膜及铜互连线薄膜的晶粒尺寸进行了评价。结果显示热处理后铜膜晶粒长大,但铜互连线薄膜由于沟槽结构对晶粒的长大有阻碍作用。利用XRD和EBSD测试方法对铜膜及铜互连线薄膜的织构进行评价。在沉积态铜膜存在较强的铜{111}织构,热处理以后铜膜的织构减弱,铜互连线沟槽中铜{111}织构要弱于铜膜的铜{111}织构。通过XPS和AES分析新型的扩散阻挡层SiON及Ta和SiON双层结构的扩散阻挡层,结果显示两种扩散阻挡层可以有效的防止铜向SiO2层的扩散。
2.铜互连线的应力研究:讨论了铜互连线中应力的产生及铜互连线应力与微观结构的关系。利用薄膜应力测试分布仪和XRD测量硅基铜膜及铜互连线薄膜宏观应力。对测量结果的分析得出金属薄膜的淀积是造成铜互连线中应力的主要原因,热应力在铜互连线应力中占较大比例,热处理后铜互连线中应力减小。利用计算机模拟了温度场变化引起的铜互连线中热应力分布。模拟结果显示在铜互连线中存在较大的应力并且铜互连线沟槽结构的变化对热应力的分布有影响。最后利用SNAM对热处理前后的铜互连线局域应力分布进行的观察,其结果和计算机模拟的结果符合很好。
|
|
|
|
1 |
王静;杨志刚;谢鹤;金哲晖;胡楠;;乙醛酸化学镀制作铜互连线的研究[J];表面技术;2006年03期 |
2 |
万群;ULSI用硅片的缺陷与表面质量[J];稀有金属;1997年03期 |
3 |
顾晓清;徐赛生;;不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响[J];中国集成电路;2008年08期 |
4 |
张金钰;赵义;刘刚;张敬;孙军;;交变电流对60nm厚纳米晶铜互连线变形失效行为的影响[J];材料研究学报;2010年02期 |
5 |
刘波;唐文进;宋忠孝;徐可为;;铜互连多层膜系中自对准CuSiN层的微结构及其热稳定性[J];金属学报;2007年11期 |
6 |
刘玉岭,古海云,檀柏梅,桑建新;ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望[J];稀有金属;2001年02期 |
7 |
李力;;塑封硅器件中介电薄膜的温湿效应分析(英文)[J];实验力学;2007年Z1期 |
8 |
周继承;石之杰;郑旭强;;SiCN扩散阻挡层薄膜的制备及特性研究[J];功能材料;2009年01期 |
9 |
孙福楠;吴江红;王秋娥;;敢问中国电子气体路在何方[J];低温与特气;2005年06期 |
10 |
刘玉岭,檀柏梅,李志,刘立威;ULSI制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究[J];稀有金属;2000年06期 |
11 |
檀柏梅,刘玉岭,李薇薇,张楷亮;ULSI硅衬底片清洗技术的分析研究[J];洗净技术;2003年02期 |
12 |
;热处理与表面处理工艺[J];电子科技文摘;2000年11期 |
13 |
郑金红,黄志齐,文武;ULSI用193nm光刻胶的研究进展[J];精细化工;2005年05期 |
14 |
;国外最新专利[J];电镀与涂饰;2009年01期 |
15 |
陈敏娜;曾磊;汪礼康;张卫;徐赛生;张立锋;;有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响[J];半导体技术;2007年05期 |
16 |
卢茜;吴子景;吴晓京;Weidian Shen;蒋宾;;Cu/Ta/SiO_2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究[J];电子显微学报;2008年04期 |
17 |
;教育培训[J];表面工程资讯;2010年03期 |
18 |
麦久翔,严伟明;航天微电子技术中AlN陶瓷的应用[J];宇航材料工艺;1993年04期 |
19 |
方志鸣;微电子科学技术在材料物理方面的一些最新发展进程[J];黄山学院学报;2004年03期 |
20 |
杨志锋;高彦磊;李娜;王旭;殷列;王增林;;超级化学镀铜填充微道沟的研究[J];化学学报;2009年24期 |
|