收藏本站
《北京工业大学》 2002年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

ULSI中铜互连线可靠性的研究

卢振钧  
【摘要】: 本论文研究了ULSI中铜互连的可靠性问题。在铜互连可靠性的几个主要问题中,重点针对互连中的电迁徙和应力迁徙进行了探讨。通过电徙动试验,研究比较了不同宽度的铜互连线的抗电迁徙能力,计算了其中值寿命和激活能,探讨了其失效机理,并与铝互连线进行了比较。此外,还进行了铜互连的电学和力学模拟。在电学模拟过程中,对比了不同条宽和不同阻挡层材料下的互连线的温度、电流密度分布,以及不同通孔倾角下、不同阻挡层材料下的通孔的温度、电流密度分布。模拟结果表明,在互连线中,温度的最高点集中在布线的中部;在通孔中,20度倾角是通孔最优角度。在力学模拟过程中,计算了铜互连线和通孔的热应力的分布。模拟结果说明,在互连线和通孔中,应力都集中在角落处。总之,铜互连有着优于铝互连的诸多优点,用于实际器件以后,会使器件的可靠性大大提高。
【学位授予单位】:北京工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TN405

手机知网App
【引证文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 杜鸣;超深亚微米铜互连的失效机理与可靠性研究[D];西安电子科技大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 刘兴刚;一种新型集成电路铜互连方法的研究[D];上海交通大学;2008年
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 成立,王振宇,高平,祝俊;VLSI电路可测性设计技术及其应用综述[J];半导体技术;2004年05期
2 张玥;万培元;林平分;;集成电路可测性设计IO复用方法[J];半导体技术;2011年09期
3 邝小飞,金湘亮;集成电路技术发展的物理极限挑战与对策[J];半导体情报;2001年05期
4 程玉华,王阳元;短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型[J];半导体学报;1993年05期
5 李天望,王晓悦,晁英伟,洪志良;单片集成低通波数字滤波器[J];半导体学报;1998年12期
6 张新,高勇,刘善喜,安涛,徐春叶;用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路[J];兵工学报;2005年02期
7 成立,高平,王振宇,史宜巧;BiCMOS技术在通信领域的研究与进展[J];电讯技术;2004年02期
8 轩久霞,卢振钧,李志国;ULSI中的铜互连线RC延迟[J];电子产品可靠性与环境试验;2003年03期
9 徐葭生,王嵩梅,杜禾;1Mbit汉字ROM设计和分析[J];电子学报;1993年05期
10 程玉华,王阳元;薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型[J];电子学报;1993年11期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 张兴;王阳元;;低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇[A];信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
2 杨虹;王杰敏;吕坤颐;侯华敏;;P阱硅栅CMOS倒相器输出电路版图设计[A];2008通信理论与技术新进展——第十三届全国青年通信学术会议论文集(上)[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 谢丹;NO_2气敏LB膜及其微结构传感器研究[D];电子科技大学;2001年
2 姚峰英;语音增强系统的研究与实现[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
3 刘蓬侠;并行ATPG算法理论与原型系统设计技术研究[D];国防科学技术大学;2002年
4 何剑春;ULSI片内互连线寄生参数提取及应用[D];浙江大学;2002年
5 林平;变频控制系统集成模块及其控制芯片技术的研究[D];浙江大学;2003年
6 董业民;图形化SOI技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2004年
7 赵强;基于MEMS技术的微型泵的研究[D];中国科学院研究生院(电子学研究所);2004年
8 张兆华;MOS环振式数字加速度传感器研究[D];清华大学;2004年
9 尹勇生;可重构多流水计算系统研究[D];合肥工业大学;2006年
10 孙晓峰;基于叉指式共面波导的RF MEMS开关线型移相器研究[D];上海交通大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 赵文婷;金属衬底对电沉积铜互连层氧化可靠性能的影响[D];上海交通大学;2011年
2 王娟;新型电热微驱动器与双稳态机构的研究[D];上海交通大学;2011年
3 赵延宾;嵌入式计算器单芯片的分析与设计[D];西安电子科技大学;2002年
4 邝小飞;快速锁相频率合成器的集成化设计与仿真[D];湖南大学;2002年
5 朱先宇;短沟道MOST温度特性的建模[D];安徽大学;2002年
6 盛霞;SOI上双极压控MOS场效应管的研究[D];湖南大学;2003年
7 轩久霞;ULSI中互连线延迟时间的研究[D];北京工业大学;2003年
8 王磊;嵌入式SRAM优化设计[D];电子科技大学;2003年
9 黄蓉;基于硅衬底的新型射频微机械开关[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2004年
10 闻飞纳;MEMS器件系统级仿真技术研究[D];东南大学;2004年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 宋登元,宗晓萍,孙荣霞,王永青;集成电路铜互连线及相关问题的研究[J];半导体技术;2001年02期
2 吴丰顺,张金松,吴懿平,郑宗林,王磊,谯锴;集成电路互连引线电迁移的研究进展[J];半导体技术;2004年09期
3 陈苏,张楷亮,宋志棠,封松林;多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展[J];半导体技术;2005年08期
4 张永华,丁桂甫,李永海,蔡炳初;MEMS中的牺牲层技术[J];微纳电子技术;2005年02期
5 刘彬;刘静;吴振宇;汪家友;杨银堂;;铜互连电迁移失效的研究与进展[J];微纳电子技术;2007年04期
6 焦慧芳,孔学东,贾新章,孙青,扬文,徐征;电迁移与工艺相关的关系[J];半导体学报;2000年09期
7 张国海,夏洋,钱鹤,高文芳,于广华,龙世兵;以注氮SiO_2 作为铜互连技术中的新型阻挡层(英文)[J];半导体学报;2001年03期
8 龙世兵,马纪东,于广华,赵洪辰,朱逢吾,张国海,夏洋;SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)[J];半导体学报;2002年10期
9 王阳元,康晋锋;超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术[J];半导体学报;2002年11期
10 杜鸣,郝跃,朱志炜;CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计[J];半导体学报;2005年08期
【二级引证文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 章闻奇;几种微电子材料的制备、表征与性能研究[D];南京大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 胡凯;集成电路碳纳米管通孔互连结构的工艺整合[D];天津理工大学;2012年
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 孙英华,李志国,邓燕,程尧海,郭伟玲;电迁徙参数的电流斜坡动态测试[J];北京工业大学学报;1996年04期
2 Bart van Schravendijk ,Mahesh Sanganeria,蔡坚;低k/碳化硅材料与铜互连线的工艺整合[J];电子产品世界;2003年06期
3 郭伟玲,李志国,周天夷,孙英华,张万荣,沈光地;热应力条件下VLSI金属化布线的可靠性[J];微电子学;1998年03期
4 翁寿松;铜互连及其相关工艺[J];微纳电子技术;2004年03期
5 李志国,孙英华,邓燕,张炜,程尧海,郭伟玲,张万荣;电迁徙参数—电流密度因子电流斜坡测试法[J];半导体学报;1997年11期
6 张秀国,张大成,史宝江,梁福馨,高光渤;功率晶体管金属化可靠性试验研究[J];北京工业大学学报;1976年00期
7 李志国,孙英华,邓燕,程尧海,郭伟玲,张万荣,张炜;Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究[J];电子学报;1998年02期
8 孙英华,郭伟玲,李志国,张万荣,程尧海,吉元;脉冲应力下电流密度指数因子的研究与分析[J];半导体技术;1998年06期
9 李志国,张炜,孙英华,程尧海,郭伟玲,吉元,李学信;利用回流效应的新型金属化系统研究[J];半导体学报;1996年12期
10 李志国;VLSI中的Al金属化系统[J];半导体情报;1995年06期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 白宣羽;汪渊;徐可为;;集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展[A];TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2003年
2 季春花;凌惠琴;曹海勇;李明;毛大立;;TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中C1-的作用[A];2011年全国电子电镀及表面处理学术交流会论文集[C];2011年
3 王希;何川;马悦;;在超薄籽晶层上均匀沉积铜膜技术[A];2009年全国电子电镀及表面处理学术交流会论文集[C];2009年
4 杨志刚;钟声;;化学镀铜在超大规模集成电路中的应用和发展[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
5 檀柏梅;牛新环;周建伟;刘玉岭;李晖;;ULSI铜互连钽阻挡层的CMP浆料研究(英文)[A];2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2008年
6 杨林;吕俊青;;圆柱靶溅射芯片铜导线中硅盘铜线的均匀度和对称性[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年
7 陈玮;任杰;卢红亮;张卫;王季陶;;超大规模集成电路中铜互连的制备技术[A];2005年上海市电镀与表面精饰学术年会论文集[C];2005年
8 张炜;成旦红;王建泳;郁祖湛;;ULSI铜互连中的电沉积铜的研究动态[A];2005年上海市电镀与表面精饰学术年会论文集[C];2005年
9 白宣羽;汪渊;徐可为;范多旺;;集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展[A];薄膜技术学术研讨会论文集[C];2003年
10 郁祖湛;;电子电镀中若干新工艺和新技术[A];2006年上海电子电镀学术报告会资料汇编[C];2006年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 本报记者 王小庆;铜互连:互连技术新宠[N];中国电子报;2001年
2 梁红兵;铜互连工艺为半导体制造业带来新增长机会[N];中国电子报;2004年
3 ;45nm以下铜互连不如碳纳米管[N];中国电脑教育报;2008年
4 ;用于铜互连的阻挡层的形成方法[N];中国有色金属报;2003年
5 马文方;AMD收购ATi值不值?[N];中国计算机报;2006年
6 诸玲珍;NVIDIA推0.13微米GPU[N];中国电子报;2002年
7 莫大康;全球12英寸制造时代即将来临[N];中国电子报;2004年
8 马文方;IBM和AMD的醉翁之意[N];计算机世界;2003年
9 ;未来几年的关键技术[N];中国计算机报;2001年
10 ;面向未来 蓄势待发[N];中国电子报;2001年
中国博士学位论文全文数据库 前9条
1 林晓玲;铜互连结构在热应力作用下的失效机理及其可靠性研究[D];华南理工大学;2011年
2 姜晓鸿;集成电路局部缺陷及其相关的功能成品率和电迁徙问题的研究[D];西安电子科技大学;1998年
3 姚明;趋肤效应对集成电路铜互连线可靠性设计影响的理论研究[D];电子科技大学;2013年
4 赵宇航;铜互联工艺中的DFM方法研究[D];复旦大学;2009年
5 谢琦;集成电路铜互连工艺中先进扩散阻挡层的研究[D];复旦大学;2008年
6 王新建;溅射铜和铜合金薄膜的微观结构与性能[D];上海交通大学;2009年
7 杜鸣;超深亚微米铜互连的失效机理与可靠性研究[D];西安电子科技大学;2010年
8 丁少锋;铜互连新型粘附层/扩散阻挡层材料的理论和实验研究[D];复旦大学;2011年
9 武鹏;铜互连哑元填充综合算法研究[D];复旦大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 卢振钧;ULSI中铜互连线可靠性的研究[D];北京工业大学;2002年
2 罗东;ULSI铜互连线微观结构和应力研究[D];北京工业大学;2002年
3 桂鹏;大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究[D];上海交通大学;2011年
4 侯通贤;IC中铜互连的热应力可靠性研究[D];华南理工大学;2010年
5 王晓冬;ULSI铜互连线微结构与应力及其对电徙动影响的研究[D];北京工业大学;2003年
6 钟鑫生;解决90nm及以下蚀刻中铜扩散的先进工艺[D];复旦大学;2011年
7 郭静涛;0.13微米铜互连工艺派工系统控制等待时间和降低缺陷的研究[D];复旦大学;2009年
8 李骥;RuTi基单层薄膜作为铜互连扩散阻挡层研究[D];复旦大学;2010年
9 顾炜;铜互连中PVD Ta/TaN阻挡层的性能改进与缺陷控制研究[D];上海交通大学;2007年
10 张然;ULSI铜互连层CMP抛光液研究[D];大连理工大学;2007年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026