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《北京工业大学》 2005年
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(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2)_x陶瓷介电性能的研究

朱学文  
【摘要】:随着超大规模集成电路的发展,寻找能够替代目前使用的电容器件Si 基材料的高介电常数材料是一项急待开展的研究课题。Ta2O5 由于其良好的的介电性能且与半导体制备工艺相兼容性,在电容器和DRAM 存储介质方面展现出了广阔的应用前景,成为很有希望的替代品。但目前的研究重点是纯Ta2O5薄膜,有关块状Ta2O5的研究比较缺乏,因此,本论文参考Cava 与其合作者有关TiO2掺杂后Ta2O5-TiO2介电常数大幅度提高的报导,对Ta2O5-TiO2陶瓷的制备和介电性能进行了研究。 本论文首先在常规陶瓷工艺的基础上对(Ta2O5)0.92(TiO2)0.08 陶瓷介电性能进行了研究,并总结出其最佳制备工艺;其次是进行了(Ta2O5)1-x(TiO2)x掺杂改性的研究,分析了TiO2 掺杂量对(Ta2O5)1-x(TiO2)x 材料介电性能的影响,并对其微观机理进行了初步探索;最后,我们根据干压法成瓷后陶瓷性能和结构各向异性的特点,采用切割加工处理方式,对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料介电性能的各向异性进行了研究。 本课题的完成,首先,将提供一种满足目前计算机飞速发展的、品质好的、新型的DRAM 材料,并会大幅度地提高计算机的存储效率,有力地促进计算机的发展;其次,还将从理论上、工艺上指导Ta2O5与其它物质掺杂改性的研究及其机理的探索,从而进一步推动新型DRAM 材料的研制。总之,本工作将对计算机的未来发展具有十分重要的意义,进而也将会对社会的科学进步和经济发展产生积极的作用。
【学位授予单位】:北京工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2005
【分类号】:O482.4

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 张秋林;Nb_2O_5-TiO_2和Nb_2O_5-Ta_2O_5体系陶瓷烧结工艺及介电性能的研究[D];北京工业大学;2006年
【共引文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 杨海平;钽醇盐的电化学合成及纯化研究[D];中南大学;2011年
【同被引文献】
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7 张秋林;Nb_2O_5-TiO_2和Nb_2O_5-Ta_2O_5体系陶瓷烧结工艺及介电性能的研究[D];北京工业大学;2006年
8 张国伟;环氧树脂/蒙脱土纳米复合材料的制备和性能研究[D];哈尔滨理工大学;2005年
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