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《北京化工大学》 2008年
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聚酰亚胺/介孔分子筛低介电常数复合薄膜的制备及性能研究

马兰杰  
【摘要】: 随着超大规模集成电路(ULSI)器件集成度的提高,亟需开发新型低介电常数(low-k)材料来降低由于特征尺寸的降低所带来的信号容阻(RC)延迟、串扰以及能耗等问题。聚合物基复合薄膜在微电子行业具有广阔的应用前景,氧化硅介孔分子筛MCM-41具有超低介电常数,使其成为比较合适的低介电复合材料的填料。 本文主要研究了聚酰亚胺/介孔分子筛(PI/MCM-41)复合薄膜的制备方法及其性能。采用溶胶-凝胶法制备了MCM-41分子筛,分别通过原位分散聚合工艺和球磨分散工艺将具有超低介电常数的MCM-41粒子复合到PI基体中以制备低介电常数PI/MCM-41复合薄膜。采用TEM、SEM、UV-Vis、TGA、阻抗分析仪等对复合薄膜的微观结构、热性能、电性能等进行了研究。结果显示:无机粒子在PI/MCM-41复合薄膜中分散均匀,介电常数降至2.58,体积电阻率和击穿场强均得到提高,分别达到3.139×10~(16)Ω.m和255.45MV.m~(-1)。球磨工艺得到的复合薄膜性能要优于原位分散聚合得到的复合薄膜性能。这样的低介电复合材料有望在集成电路中得到应用。
【学位授予单位】:北京化工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TN304

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【参考文献】
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