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《天津大学》 2010年
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Zn_3N_2薄膜及AZO/Cu/AZO多层薄膜的制备与特性研究

杨田林  
【摘要】:半导体薄膜材料已经成为微电子学、光电子学、磁电子学、材料表面改性、传感器、液晶显示等新兴交叉学科的重要的基础材料。半导体薄膜材料又分为单质和化合物材料,在化合物半导体薄膜材料中,锌的氮化物、氧化物薄膜以及锌的氧化物与金属构成的多层结构薄膜材料是重要的一部分。 由于氮化镓半导体薄膜具有高迁移率的特点,从而得到了广泛的应用。相比之下,锌的氮化物薄膜的研究较少,其中,氮化锌(Zn_3N_2)薄膜的禁带类型、大小还没有完全定论,氮化锌薄膜的电学特性、稳定性以及用途研究的较少。然而,关于锌的氧化物透明导电薄膜得到了广泛的研究,只是电导率进一步提高遇到了难题,为此,人们开辟了金属基的氧化物多层薄膜的研究领域,关于AZO/Cu/AZO多层薄膜的研究较少,且制备工艺需要进一步优化。本论文的主要内容是:制备了氮化锌薄膜和AZO/Cu/AZO多层薄膜,并具体研究了薄膜的结构和光电特性。 利用磁控反应溅射法在不同衬底上制备了氮化锌薄膜,溅射靶材为高纯的锌,工作气体为高纯氮气和氩气的混合气体。X射线衍射谱表明氮化锌具有(4 0 0)择优取向,反方铁锰矿结构;通过氮化锌的光学性质测量,可以断定氮化锌是直接禁带半导体,禁带宽度为1.01±0.02eV。研究了氮分压、溅射气压、溅射功率、衬底温度对氮化锌薄膜性质的影响,以及Zn_3N_2/AZO多层结构薄膜的光电特性。 利用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备制备了AZO/Cu/AZO多层薄膜,研究了Cu层厚度和AZO厚度对AZO/Cu/AZO多层薄膜结构和光电特性的影响。在最佳结构匹配下(40/8/40nm),AZO/Cu/AZO多层薄膜的电阻率达到了7.92×10-5 ?·cm,透过率达到了84%,薄膜的品质因子为1.94×10-2 ?-1。并从理论上解释了多层薄膜的导电机制,光学传输原理。
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