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《天津大学》 2005年
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离子层气相反应法(ILGAR)制备硫属半导体薄膜的研究

邱继军  
【摘要】:纳米晶太阳能电池(NPC)以其简单的工艺,低廉的成本以及可实现规模化生产等优势成为绿色能源领域的研究热点之一。本文综述了太阳能电池及其光敏化、吸收材料的发展,研究了NPC太阳能电池无机硫属半导体光吸收层薄膜新型化学法的制备。 课题选择CdS,CuInS2硫属半导体材料分别作为NPC太阳能电池中缓冲层和光吸收层,采用离子层气相反应法(ILGAR),研究了制备条件对薄膜结构与性能的影响,如阳离子吸附方式、溶剂种类、混合离子浓度及配比、硫化反应温度、热处理温度、时间与气氛、薄膜生长与厚度控制、Ga掺杂等。采用XRD、SEM、UV-Vis、XPS、HALL系统等对薄膜晶型、微结构、化学计量、光学和电学等性能进行了表征。 ILGAR法制备CdS薄膜的实验结果表明,以CdCl2为反应物,H2O和CH3CN混合液为溶剂,H2S为硫源所得纳米晶薄膜表面较致密、均匀、附着性好;0.05M阳离子浓度吸附下的平均生长速率为2.8nm/cycle;400℃热处理温度下结构为沿(002)面择优生长的六方铅锌矿。 首次采用混合阳离子溶液吸附工艺,以C2H5OH为溶剂,离子浓度比[Cu+]/[In3+]为1.55,硫化温度在40℃,550℃热处理1h可制备出单相、表面致密、粒径均匀、沿(112)面择优取向生长的黄铜矿型纳米晶CuInS2薄膜。随离子浓度配比的变化,薄膜的光吸收系数均高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.30~1.40 eV之间变化,表面电阻、载流子浓度和迁移率分别在50~10?·cm, 1016~1017cm-3,2~7cm2/V·s的范围内可调。 Ga掺杂研究结果表明,混合前驱体溶液中[Ga]/[In]低于1时,Ga取代In形成CuIn1-xGaxS2四元单相薄膜;当Ga]/[In]高于1时,Ga和In分别以各自三元相形式独立存在。随[Ga]/[In]的增加,CuIn1-xGaxS2四元单相薄膜的光学禁带宽度变宽,电阻在103~104?/□范围内。
【学位授予单位】:天津大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2005
【分类号】:TN304

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【引证文献】
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【参考文献】
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【共引文献】
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1 姚卫棠;俞书宏;;混合溶剂中低维硫属半导体纳米材料的化学合成及性能研究[A];中国化学会第二十五届学术年会论文摘要集(下册)[C];2006年
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1 邱继军;离子层气相反应法(ILGAR)制备硫属半导体薄膜的研究[D];天津大学;2005年
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