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《河北大学》 2009年
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图形化纳米金刚石薄膜的制备及表面氢吸附的研究

石利忠  
【摘要】:金刚石具有优异的力学、热学、光学、电学及声学等物理特性和化学惰性,可用于制造高击穿电压、耐高温和耐强辐射的高性能电子器件,在光电子学领域具有广阔的应用前景。为满足微纳米金刚石类半导体器件的集成化要求,利用光刻技术实现金刚石薄膜的图形化生长是最有效的手段之一。 本工作采用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以硫为掺杂原子,并利用紫外光光刻技术,以Si02作掩模,在p型硅衬底上制备了图形化硫掺杂金刚石薄膜。理论上,采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了金刚石(001)表面的氢吸附问题,构建了金刚石(2×1):1H表面、(2×1):2H表面和(2×1):1.5H表面,通过分析不同重构表面的电子云图、态密度图和能带结构图,以及氢覆盖度构型的吸附能等得出了最稳定的构型。所得结果对于金刚石薄膜的n型掺杂研究及理解微观成核机理具有参考价值。
【学位授予单位】:河北大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:O484.1

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