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《河北工业大学》 2007年
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直流磁控溅射法制备SnO_2薄膜及其气敏特性研究

杜鹏  
【摘要】: 本文介绍了半导体气敏元件在国内外的发展状况,综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术。列举了半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度和选择性的影响作用。 用直流磁控溅射法分别在Si及陶瓷管上制备掺有ZnO和CuO的SnO_2纳米薄膜,并用马弗炉对前者进行500℃、800℃的退火处理,对后者进行500℃、700℃的退火处理。 掺有ZnO的SnO_2纳米薄膜,其未退火的样品,经过500℃退火的样品和800℃退火的样品在工作电压较低时(4.5~6V)对乙醇表现出不同的灵敏度,当加热电压继续升高,未退火的样品对乙醇呈现的灵敏度降低;同时,在加热温度较低时(4.5~6V),各样品对丙酮也具有不同的敏感特性,但在较高的测试温度下(6V以上),经过500℃退火样品对丙酮的灵敏度急剧增大,几乎接近100。一般希望加热电压越低越好,因此选择样品在800℃下退火可以获得最佳效果。 利用气敏测试系统对掺有CuO的SnO_2各样品进行气敏特性测试,500℃退火的样品对几种被测气体基本都有较高的灵敏度,且随着工作温度的提升,气敏特性下降。700℃退火的样品对乙醇具有很好的选择性,表现较好的灵敏度,当工作电压为6.5V时,在乙醇气体小注入的条件下下,也体现了样品良好的气敏特性。
【学位授予单位】:河北工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2007
【分类号】:TN304.05

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【参考文献】
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