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《山西师范大学》 2012年
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纳米硫化镉修饰电极的制备及应用研究

冯潇  
【摘要】:硫化镉是一种重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体化合物,室温下的禁带宽度为2.4eV,其优良的光电性能吸引了科研工作者极大的兴趣,并在许多领域表现出了广阔的应用前景。在光吸收、光电催化、太阳能电池、非线性光学、激光器材、光电二极管、薄膜晶体管、场效应管、逻辑电路和生物传感器等方面有着广泛的应用。通过许多物理或化学方法,如固相反应法、微乳液法、化学水浴沉积法、电沉积法等可制备纳米硫化镉。本文以纳米硫化镉作为修饰剂,制备了纳米硫化镉修饰玻碳电极,并就环境中的污染物和含碘药物为对象展开研究。 本论文的主要研究工作包括: 1.纳米硫化镉修饰电极的制备及其对邻苯二酚的检测应用 采用超声法合成纳米硫化镉粒子,并用扫描电子显微镜对其进行表征。将制得的纳米硫化镉固定在玻碳电极表面,研究了邻苯二酚在该修饰电极上的电化学行为,用循环伏安法对电极的响应机理进行探讨。该修饰电极在pH6.4的磷酸二氢钾-硼砂缓冲溶液中对邻苯二酚具有较好的催化作用,其峰电流值和邻苯二酚的浓度在4.0×10~(-3)mol/L~3.0×10(~-)6mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为5.5×10~(-7)mol/L。该修饰电极具有较好的稳定性和重现性,据此建立了一种方便、快速的检测邻苯二酚的测量方法。 2.镉离子在纳米硫化镉修饰电极上的研究及应用 首次研究了镉离子在纳米硫化镉修饰玻碳电极上的电化学行为,对其响应机理进行探索。用阳极溶出伏安法对镉离子进行检测,在纳米硫化镉修饰电极上出现了良好的溶出峰,并探讨了富集时间、富集电位等对镉离子的峰电流的影响。结果表明,在选择的最佳条件下,Cd(Ⅱ)的峰电流与浓度在1.0×10~(-4)mol/L~2.0×10~(-7)mol/L范围内呈线性关系,最低检测限可达5.0×10~(-8)mol/L,并且抗干扰能力较强,可应用与污水中Cd(Ⅱ)的监测。 3.碘离子在纳米硫化镉修饰电极上的电化学研究及应用 首次研究了碘离子在纳米硫化镉修饰玻碳电极上的电化学行为。用循环伏安法在0.5mol/L的硫酸中对碘化钾进行检测。结果表明,该修饰电极对碘离子的氧化具有明显的催化作用,对其催化机理进行探讨。在最佳实验条件下碘离子的峰电流值和其浓度在1.0×10(-3)~mol/L~3.0×10~(-6)mol/L,检出限为6.5×10~(-7)。该电极可应用于含碘药物中碘含量的分析,结果令人满意。
【学位授予单位】:山西师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2012
【分类号】:O614.242;TB383.1

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