收藏本站
《内蒙古农业大学》 2017年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响及其压力和温度效应

肖志婷  
【摘要】:在连续介电模型和有效质量近似下,运用变分法研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的基态结合能。考虑电子有效质量随着位置的改变对杂质态基态结合能的影响,并在此基础上计算了压力和温度对球形量子点杂质态结合能的影响。分别数值计算了 AlxGa1-xAs/GaAs和AlxGa1-xN/GaN材料球形量子点杂质态基态结合能随量子点尺寸和三元混晶垒材料中Al组分的变化关系,研究了电子有效质量随位置的改变对结合能的影响,并与不考虑电子有效质量随位置的改变做了比较。讨论了球形量子点的温度及其压力效应。对两种材料的计算结果表明有如下共同特征:当量子点半径较小时,电子有效质量随位置变化增加了杂质态基态结合能,随着量子点半径增大杂质态基态结合能的增加幅度变小;量子点半径比较大时,电子有效质量随位置的改变降低了杂质态的基态结合能;随着三元混晶Al组分的增加,杂质态的基态结合能单调递增;另外,杂质态结合能随外加压力的增大几乎呈线性增加,但随温度的升高反而降低。
【学位授予单位】:内蒙古农业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2017
【分类号】:O471.1

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前9条
1 韩军;闫祖威;石磊;;外电场作用下球形量子点的光学性质[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2016年02期
2 裴立群;闫祖威;;导带弯曲对球形量子点光学性质的影响及压力效应[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2014年03期
3 曹艳娟;闫祖威;石磊;;导带弯曲对有限深GaN/Ga_(1-x)Al_xN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应[J];发光学报;2013年09期
4 张立;;纤锌矿准一维GaN/Al_xGa_(1 -x)N量子阱线中的极化准受限光学声子模(英文)[J];半导体学报;2006年10期
5 戴宪起,黄凤珍,郑冬梅;Al含量对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中激子态的影响[J];半导体学报;2005年04期
6 丁朝华,赵翠兰,肖景林;抛物量子线中强耦合极化子的有效质量[J];发光学报;2005年01期
7 张德恒,张锡健,王卿璞,孙征;MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性[J];发光学报;2004年02期
8 王占国;半导体材料研究的新进展[J];半导体技术;2002年03期
9 刘翠红,郭康贤,陈传誉,马本堃;电子有效质量随位置变化的半导体量子阱中的光学整流(英文)[J];光子学报;1999年11期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 韦海成;许亚杰;肖明霞;吉文欣;;纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究[J];液晶与显示;2017年06期
2 肖志婷;石磊;闫祖威;;电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2017年01期
3 韦海成;李海燕;张秀霞;;基于高温制备的氧化钙镁复合薄膜光电特性研究[J];液晶与显示;2016年03期
4 武梦鸽;袁昕;汪洋;崔亮;贺世杰;;ZnSe晶体生长技术的发展现状[J];山东工业技术;2015年24期
5 王玉臣;;直拉法单晶硅生长的数值模拟和控制参数优化[J];电子工业专用设备;2015年07期
6 张凯强;王秋;;王者“硅”来——硅元素及其化合物应用介绍[J];化学教学;2015年05期
7 王炫力;王金颖;袁浩然;姚成宝;孙文军;;Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品制备及其结构与带隙分析[J];哈尔滨师范大学自然科学学报;2015年02期
8 石卫燕;闫祖威;石磊;;应变纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中子带光吸收及其压力效应[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2015年02期
9 闫小兵;史守山;郝华;;In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算[J];中国粉体技术;2014年05期
10 于彦龙;赵奕淞;高丽华;候莉;高发明;;InP纳米针和纳米管的合成及机制探讨[J];燕山大学学报;2014年02期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 石卫燕;闫祖威;石磊;;应变纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中子带光吸收及其压力效应[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2015年02期
2 曾艺;潘志华;赵付丽;秦苜;周延;王长顺;;Nonlinear optical properties of an azobenzene polymer[J];Chinese Physics B;2014年02期
3 曹艳娟;闫祖威;;导带弯曲对有限深GaN/Ga_(1-x)Al_xN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应(英文)[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2013年01期
4 段坤杰;衡丽君;;外电场对直接带隙Ge量子阱中的光学性质的影响[J];原子与分子物理学报;2012年01期
5 张敏;闫祖威;;压力下GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的界面效应[J];发光学报;2009年04期
6 ;Studies on Linear and Nonlinear Intersubband Optical Absorptions in a Wurtzite AlGaN/GaN Coupling Quantum Well[J];Communications in Theoretical Physics;2008年03期
7 皇甫艳芳;闫祖威;;GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应[J];内蒙古大学学报(自然科学版);2008年01期
8 危书义,黄文登;GaN/AlN量子阱中的准受限声子[J];液晶与显示;2005年04期
9 陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义;多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J];半导体学报;2004年05期
10 赵国忠,吕俊峰;量子点光跃迁性质的研究[J];北方交通大学学报;2000年02期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 曹俊诚,雷啸霖;具有负有效质量的半导体载流子速度-电场特性(英文)[J];功能材料与器件学报;2001年04期
2 刘普霖,陆晓峰,陆卫,褚君浩,肖继荣,沈学础,M.von Ortenberg;碲镉汞远红外回旋共振和电子有效质量[J];红外与毫米波学报;1993年02期
3 田金承,荣玮;浅谈能带电子的有效质量[J];山东工程学院学报;1995年02期
4 林鸿生;电导有效质量m_σ~*及半导体电子的自由粒子性质[J];大学物理;1999年08期
5 王爱芬;晶格中电子的有效质量讨论[J];德州学院学报(自然科学版);2005年02期
6 肖玮;液氦薄膜表面上与涟波子耦合的电子的有效质量[J];发光学报;2001年02期
7 阴素芹;陶传义;廖飞;;半导体物理中电子的运动与有效质量的关系[J];中国科技信息;2012年15期
8 刘砚章;范希庆;;电子多声子作用对能带电子有效质量的影响[J];郑州大学学报(自然科学版);1990年01期
9 张庆海,潘华锦,齐建英;用最小二乘法测弹簧的有效质量[J];大学物理;2002年11期
10 史庆藩;潘北诚;阿卜杜拉;马少鹏;孙刚;;不同堆构条件下颗粒柱有效质量的涨落[J];物理实验;2011年07期
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 孔海云;中质子有效质量劈裂和对称能效应研究[D];中国科学院研究生院(上海应用物理研究所);2017年
中国硕士学位论文全文数据库 前7条
1 杨会勤;三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的电子能带结构和有效质量的第一性原理研究[D];内蒙古大学;2015年
2 刘晓威;有效质量法调控原子玻色-爱因斯坦凝聚体的双阱动力学[D];华东师范大学;2017年
3 肖志婷;电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响及其压力和温度效应[D];内蒙古农业大学;2017年
4 熊春;硬热圈近似下理想模型介质效应的研究[D];华中师范大学;2003年
5 张敏明;透明导电氧化物半导体材料的量子化学计算与设计[D];北京化工大学;2013年
6 舒崧;热密核物质中核子有效质量的研究[D];华中师范大学;2002年
7 王波;高密度下的介子有效质量研究[D];吉林大学;2006年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026