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《大连理工大学》 2002年
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适用于大电流的SiGe HBT频率特性的解析模型

朱泳  
【摘要】: 本文对n~+pn~-n~+型SiGe基区异质结双极晶体管(HBT)在大电流下的频率特性进行了研究。建立了将Ge引入到集电区后异质结势垒效应(HBE)的一维解析物理模型。并在此模型基础上对电子在基区中的渡越时间、HBT的电流增益和截止频率等进行了计算。结果发现,随着Ge引入到集电区,异质结势垒效应只有在较高的集电极电流下才会发生,而且产生异质结势垒的临界电流密度随Ce进入集电区深度的增大而增大。结果,与集电区中不含Ge的情况相比,将Ge引入到集电区可以推迟电流增益和截止频率的在大电流下的下降。因而,可以在大电流下仍然获得高的电流增益和截止频率。另外,计算结果还发现,将Ge引入到集电区后可以提高在一定发射结偏压下的集电极电流密度。 本文的结论对SiGe基区HBT的高频大功率设计具有一定借鉴作用。
【学位授予单位】:大连理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TN32

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