氧化锌薄膜的制备与性能研究

【摘要】：ZnO 晶体为六方纤锌矿结构的自激活宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.3eV,晶格常数a =0.325 nm,c =0.521nm。ZnO 薄膜天然存在着锌间隙与氧空位,为极性半导体,呈n 型。优质的ZnO 薄膜具有c 轴择优生长。本文是以激光沉积法制取氧化锌薄膜为主要研究内容,利用YAG-Nd 脉冲激光(波长为1064nm, 频率为10Hz)做光源,采用纯金属锌靶,以单晶Si(111)为基体,在有氧的气氛中通过激光烧蚀锌靶的方法制备氧化锌薄膜。首次成功地利用较长波长(1064nm)的激光器制备了含有很少液滴的ZnO 薄膜。通过优化激光能量密度、氧气压力和基体温度等工艺参数能够在Si(111)基体上制备出(002)择优取向的ZnO 薄膜。发光(PL)谱的结果表明该薄膜具有强的紫外光发射和相对弱的深水平发射。

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4	冯祥;可编程逻辑器件在数字系统中的应用[J];国外电子元器件;2001年05期
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11	于军,王华,2.董晓敏,周文利,王耘波,郑远开,赵建洪;Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性[J];半导体学报;2001年02期
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15	张砚春,施聚生,崔占忠;用 MAX7000A实现多普勒信号数字信号处理的分析与线路设计[J];微计算机信息;2000年06期
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18	汪一鸣 ,徐清源 ,翁桂荣 ,胡子涟 ,王莲莲;利用互联网的远程在系统编程[J];电子技术应用;2001年07期
19	李锋,卢佩,刘成臣,石东;应用VHDL语言在PLD器件上设计实现可编程计数器[J];现代电子技术;2002年05期
20	李彩,刘勇,王安,张龙,贾琳;MAX7000S在线阵CCD数据采集卡中的应用[J];量子电子学报;2003年01期

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1	周红;隋成华;陈乃波;许晓军;魏高尧;蔡萍根;;在蓝宝石光纤端面上生长ZnO薄膜的方法及光学性能分析[A];光子科技创新与产业化——长三角光子科技创新论坛暨2006年安徽博士科技论坛论文集[C];2006年
2	周小芳;;准单晶ZnO薄膜的制备及其光学特性研究[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
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4	江浩;顾锋;李春忠;;水含量对溶剂热合成ZnO微结构的影响[A];中国颗粒学会第六届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会论文集（上）[C];2008年
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6	沈伟;彭德全;沈晓丹;;先进无机材料表面的金属化——ZnO薄膜技术[A];2001年全国电子电镀年会论文集[C];2001年
7	王齐;周大成;邱建备;;稀土掺杂ZnO材料的发光特性研究进展[A];战略性新兴产业的培育和发展——首届云南省科协学术年会论文集[C];2011年
8	吴尝;朱克荣;周广东;;ZnO纳米晶的拉曼光谱[A];第十五届全国光散射学术会议论文摘要集[C];2009年
9	张铮;黄运华;李萍;廖庆亮;张跃;;基于ZnO纳米阵列的应力传感器构建及性能测试[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年
10	朱瑞;许宏钧;孙杨慧;张敬民;陈莉;徐军;俞大鹏;;原位观察单根ZnO纳米线同质外延生长[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第7分册）[C];2010年

中国博士学位论文全文数据库

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3	张晓;ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究[D];南开大学;2010年
4	刘洋;过渡元素掺杂ZnO稀磁半导体的制备及性质研究[D];江苏大学;2011年
5	隋瑛锐;共掺杂p型ZnO和富氮Zr-N薄膜的制备、性能及表征[D];吉林大学;2010年
6	陈韬;ZnO薄膜的制备及其晶体管性能研究[D];复旦大学;2010年
7	范希梅;氧化锌薄膜的制备及性能研究[D];吉林大学;2005年
8	李永峰;ZnO薄膜及其光电子器件中的晶格失配与应力问题研究[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2010年
9	杨通;P型ZnO薄膜的制备及其结构、光学和电学性质的研究[D];吉林大学;2011年
10	高世勇;ZnO薄膜和纳米结构的制备及其特性研究[D];吉林大学;2010年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	陆何俊;氧化锌薄膜的制备与性能研究[D];吉林大学;2005年
2	赵涛;PLD制备掺铜ZnO薄膜结构与光学性质研究[D];曲阜师范大学;2011年
3	锁雅芹;Na-Mg共掺杂ZnO薄膜的结构及光学性质研究[D];兰州大学;2010年
4	吴定才;Co、Cu共掺杂ZnO薄膜的制备及性质研究[D];四川师范大学;2010年
5	范晓玲;磁控溅射法制备ZnO薄膜及光电导探测器的研制[D];山东理工大学;2010年
6	李爽;ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究[D];山东建筑大学;2010年
7	王伟娜;Mg，Co共掺杂ZnO薄膜的PLD制备工艺及性能研究[D];安徽大学;2010年
8	谢炜;ZnO与TiO_2的光催化及其光电转换耦合性能的比较[D];武汉理工大学;2010年
9	高振杰;射频磁控溅射法制备ZnO:Eu~(3+)薄膜及其发光研究[D];广东工业大学;2011年
10	蒋志昂;磁控溅射制备ZnO透明导电薄膜的研究[D];兰州大学;2010年

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前10条

1	文宇;不断突破：PLD发展主旋律[N];中国电子报;2001年
2	本报记者王小庆;PLD在半导体市场“飞奔”[N];中国电子报;2001年
3	本报记者王小庆;保持领先不断创新[N];中国电子报;2000年
4	本报记者王小庆;逐步渗透ASIC与DSP市场 PLD厂商寻找新商机[N];中国电子报;2001年
5	;PLD产业市场持续扩大加速替代ASIC[N];中国电子报;2009年
6	本报记者王小庆;PLD厂商“热炒”SOPC[N];中国电子报;2002年
7	Altera公司总裁CEO兼董事会主席 JohnP Daane　中国电子报社副总编辑任爱青;Altera公司CEO：争取5年内成为PLD行业龙头[N];中国电子报;2009年
8	;Xilinx新建深圳办事处[N];中国电子报;2002年
9	芳菲;关注绿色电子元器件[N];中国电子报;2001年
10	记者束洪福;张端明教授脉冲激光沉积动力学应用研究迈入世界前沿[N];科技日报;2009年

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