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《吉林大学》 2006年
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QAD亚单层OLED和单掺杂层白光OLED的特性研究

李新红  
【摘要】:首先我们制作了QAD亚单层发光的简单结构双层有机发光器件。实验中利用绿光材料QAD亚单层作为探针层,将其沉积在电子传输材料中,制备了结构为ITO/NPB(60nm)/Alq3(xnm)/QAD(0.05nm)/Alq3[(60-x)nm]/LiF(0.5nm)/Al的一系列器件,并对它们进行了比较。结果表明当x=5nm时,器件的发光亮度最高。我们认为此时QAD分子获得的能量转移的激子的数量最多,进而实现高效率发光。但同时也存在Alq3的发光,为此我们又在器件中引入激子限制层BCP,将激子限制在NPB/Alq3界面和BCP层之间很小的区域内,从而大大增强了Alq3和QAD分子之间的能量转移,得到了几乎没有Alq3发光光谱的QAD亚单层有机发光器件。器件的最优结构为:ITO /NPB(60nm)/Alq3(5nm)/QAD(0.02nm)/Alq3(5nm)/BCP(8nm)/Alq3(42nm)/LiF(0.5nm)/Al,此时器件最大效率为7.2cd/A。 同时制备了单掺杂层发光的有机白光器件(WOLED),器件的制作工艺简单,并且器件的性能良好。器件结构为ITO /m-MTDATA(40nm)/NPB(10 nm) /ADN:rubrene(30 nm) /Alq3( 30 nm) /LiF (0.8 nm )/Al.,器件在掺杂浓度为0.5%时,色坐标为(0.31,0.34),与白光等能点非常接近。之后,论文中又介绍了一种器件,它利用Alq3的绿光,弥补了仅有两种发光材料的白光器件的光谱缺陷,其结构为:ITO /m-MTDATA(40nm)/NPB(10nm) /rubrene:ADN(25nm)/Alq(335nm)/LiF(0.8nm)/Al。当rubrene的掺杂浓度为0.5%时,最高亮度为19800cd/m2、最高效率4.7cd/A,CIE为(0.30,0.36)。
【学位授予单位】:吉林大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:TN312.8

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