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《吉林大学》 2006年
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用Z-扫描实验方法测量CdSe半导体纳米颗粒的三阶非线性

辛立  
【摘要】:本文首先介绍了半导体纳米微粒的性质,包括量子尺寸效应、介电限阈效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应及这些量子效应对三阶非线性光学性质的影响。跟着回顾了钛蓝宝石激光器的进展并介绍了几种测量非线性光学性质的方法——三波混频、四波混频以及单光束和双光束Z-扫描。 描绘了利用会聚的单光束灵敏地测量非线性介质的非线性折射率的方法。被测样品放置于会聚高斯光束的光轴上(z轴),样品在焦点附近沿z轴移动,即可得到非线性介质的非线性折射率,并能确定非线性折射率的符号(自聚焦或自散焦)。 我们利用Z-扫描技术,以Ti:Sapphire激光器输出的重复频率为82 MHz ,中心波长为788nm ,脉宽为50 fs的激光脉冲作为光源,测量了粒径约为4.2nm的CdSe半导体纳米微粒的三阶非线性折射率,并对其结果进行分析。
【学位授予单位】:吉林大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:O471;O437

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