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《吉林大学》 2007年
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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米粒子的制备及其作为增强拉曼散射基底的研究

王延飞  
【摘要】: 本文制备了II-VI族半导体纳米粒子,并将其应用于增强拉曼散射的基底,从而拓宽了增强拉曼散射基底材料的选择范围。具体内容如下:首先我们研究了ZnO纳米晶的增强拉曼散射行为,观察到尺寸对增强所产生的影响和激发波长相关的行为。估算其增强因子大约为103。详细分析了增强机理,电荷转移机理在ZnO纳米晶增强效应中起主要作用,因为表面等离子体共振效应被排除。比较了半导体ZnO纳米晶基底上吸附分子的拉曼信号与金属基底上信号的异同,揭示了半导体基底独特的性质。 为了进一步证实半导体纳米粒子能够用于增强拉曼散射的基底。我们制备了4-Mpy表面功能化的CdTe量子点,直径为3 nm。检测到CdTe量子点表面4-Mpy的拉曼信号比相同浓度4-Mpy的拉曼信号显著增强,增强因子可以达到104。观察到的拉曼信号包括4-Mpy的拉曼信号和CdTe量子点的光学声子峰。并观察到配体4-Mpy分子对CdTe量子点光学性质的影响。此外,我们制备了ZnS,CdS,CuO纳米晶,评估了各自增强能力。 最后,我们以静电为驱动力自组装Ag/CdTe纳米复合物,通过控制两种粒子的混合比例,调控复合物的光学性质。而且,首次通过SERS观察到CdS纳米晶光学声子峰,证实巯基水相法制备的CdTe纳米晶实际是混合的CdTe(S)纳米晶。
【学位授予单位】:吉林大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2007
【分类号】:TB383.1

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