ZnO薄膜和纳米结构的制备及其特性研究

【摘要】： 本文采用射频磁控溅射的方法,在抛光的自支撑金刚石膜生长面生长ZnO薄膜。通过优化生长条件,成功地制备了高c轴取向、低应力的ZnO薄膜,系统研究了低温ZnO过渡层厚度对制备ZnO薄膜的影响。 通过在硼掺杂金刚石上面溅射低温ZnO薄膜作为籽晶层,利用水热法在其表面生长了ZnO纳米棒阵列。沿c轴生长的ZnO单晶纳米棒垂直于金刚石晶粒的晶面。制备了n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结,电流?电压测试表明,该器件具有很好的整流特性,并在紫外光照射下,光电流增大。 利用阳极氧化法,将溅射有高纯铝膜的Si衬底表面进行刻蚀,制备出纳米凹坑阵列,通过水热法,在其上面制备出ZnO纳米棒/片复合结构,并研究了其生长机理。对其光致发光性质研究表明,经过退火处理,可显著提高ZnO纳米棒/片的紫外发射,同时抑制了绿光发射。