ZnO薄膜和纳米结构的制备及其特性研究

【摘要】： 本文采用射频磁控溅射的方法,在抛光的自支撑金刚石膜生长面生长ZnO薄膜。通过优化生长条件,成功地制备了高c轴取向、低应力的ZnO薄膜,系统研究了低温ZnO过渡层厚度对制备ZnO薄膜的影响。通过在硼掺杂金刚石上面溅射低温ZnO薄膜作为籽晶层,利用水热法在其表面生长了ZnO纳米棒阵列。沿c轴生长的ZnO单晶纳米棒垂直于金刚石晶粒的晶面。制备了n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结,电流?电压测试表明,该器件具有很好的整流特性,并在紫外光照射下,光电流增大。利用阳极氧化法,将溅射有高纯铝膜的Si衬底表面进行刻蚀,制备出纳米凹坑阵列,通过水热法,在其上面制备出ZnO纳米棒/片复合结构,并研究了其生长机理。对其光致发光性质研究表明,经过退火处理,可显著提高ZnO纳米棒/片的紫外发射,同时抑制了绿光发射。

【学位授予单位】：吉林大学
【学位级别】：博士
【学位授予年份】：2010
【分类号】：TB383.2

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6	记者王彬;张万喜：科研要有市场观[N];协商新报;2007年
7	王立;纳米信息技术市场前景广阔[N];中国知识产权报;2008年
8	本报记者操秀英;进军多学科前沿交叉新领域[N];科技日报;2010年
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