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《吉林大学》 2010年
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Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的制备及其表面修饰

马晓波  
【摘要】: Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点由于其量子限域效应、表面效应等,而具有不同于本体材料的光学性质。可以通过简单地改变其粒径尺寸,调节发射光的波长,得到色纯度较高的发射光。因此,它在光学和生物学方面显示出重要的学术价值和应用前景,是一类非常有前途的纳米材料。 本论文首先对CdSe量子点的成核与生长动力学过程做了细致的研究,成功地观测到了CdSe量子点的成核过程和生长过程;在低温两相反应体系,采用正庚烷为有机相,制备了发光效率较高的CdSe/CdS核-壳结构的量子点,并对其进行了表征。同时从CdSe核的大小及CdS壳层的厚度两个角度,讨论了对CdSe/CdS核-壳结构量子点的发光效率和荧光寿命的影响规律;采用SiO2层分别包覆油溶性CdSe/CdS量子点和水溶性CdTe量子点,成功地对量子点表面进行了修饰,使其适于生物方面的应用。
【学位授予单位】:吉林大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:O649

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