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《长春理工大学》 2010年
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电沉积法制备ZnSe薄膜

黄国雅  
【摘要】: 本文采用恒电位沉积方法在ITO导电玻璃基底上制备ZnSe薄膜。实验中电解质为ZnSO4和SeO2。采用XRD,SEM和红外透过仪表征了薄膜的相成分、结晶形貌、光的透过率。 本实验先用能斯特方程计算出实验条件下的Se和Zn的沉积电位。实验过程中,研究了沉积电位、溶液的搅拌、支持电解质等条件对沉积的影响。结果表明,搅拌溶液能促进薄膜的生成;支持电解质的加入使薄膜的结晶更致密;沉积电势直接决定薄膜能否生成。 对于生产的薄膜,测试得出任何条件下制备出的薄膜中都有过量的非晶态的Se。我们在N2气氛中通过烧结,能出去表面的Se,但是不能完全除去该物质。
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