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《长春理工大学》 2010年
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辐射桥面发射激光器工艺与测试

王博  
【摘要】: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)以它的高性价比、高集成度等优点决定了其在高速并行光互连、宽带以太网等领域得到了广泛的应用,成为光通信领域的新光源。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高其光电性能,本文提出了一种全新结构的辐射桥垂直腔面发射激光器。采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。 本文理论分析了新辐射桥结构VCSEL的阈值特性、热特性。设计了新辐射桥结构VCSEL所需的DBR反射镜,确定了有源区应变量子阱的材料组分,确定了外延片的结构,通过分子束外延(MBE)完成了外延片的生长。本文对氧化物限制及刻蚀等工艺进行了优化设计,得到了理想的工艺条件。通过光刻、刻蚀、氧化、减薄、镀膜等工艺过程制作出了N面出光980nm新辐射桥结构的VCSEL器件。 对辐射桥结构VCSEL器件的伏安特性、光电特性、光学特性、温度特性等一些相关特性进行了测试。通过与传统VCSEL器件的对比,其结果表明新辐射桥结构可以降低VCSEL器件的阈值电流和热阻,改善器件的模式特性,提高器件的输出功率。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TN248

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【参考文献】
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