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《长春理工大学》 2011年
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基于氧化锆的980nm垂直腔面发射半导体激光器增透膜的研究

张宇航  
【摘要】:垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers,简称VCSEL)是一种发展潜力很大的激光源。其优点在于发散角小,转换率高,调制速度快,阈值低,噪声小。由于VCSEL具备以上多种不可比拟的优点,使它在光互连、激光打印、气体检测、显示方面得以广范的应用,因此对VCSEL的功率要求也越来越高,而在出光窗口处制备高质量的增透膜有很大的应用价值。 本文的主要工作是设计和制备适用与980nmVCSEL出光窗口处的增透膜:首先根据激光器波长和功率的特性,经过理论计算,确定一种新的膜料氧化锆(ZrO2),确定新的膜料以后,用大众中文软件进行设计。再根据有限元法用ANSYS软件对ZrO2薄膜沉积在基片GaAs时的残余应力和温度之间的关系进行模拟分析,根据以往掌握的镀制ZrO2薄膜的一些经验和实验来确定镀制过程中影响膜层性能的主要参数进行确定。最后完成激光器的后续工艺,并对薄膜的透射率和镀膜后的激光器功率以及光谱进行测试,通过进行受激实验证明腔面膜对延长激光器的寿命也有很重要的意义。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN248.4

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【参考文献】
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