收藏本站
《长春理工大学》 2014年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

SiC半导体材料抗辐照特性研究

杨德明  
【摘要】:碳化硅半导体材料是自第一代半导体材料晶体硅和第二代半导体材料砷化镓之后快速崛起的,即第三代半导体材料。其禁带宽度比硅和砷化镓更宽,具有更高的热导效率、更高的击穿电场以及高饱和电子速度,这些优越的特性决定了碳化硅半导体材料能够工作在强离子辐照场及极限温度等苛刻环境下。本文中,我们自行设计了等离子体辐照平台,利用射频放电技术在真空室内产生等离子体,其优点在于它能够产生密度高、稳定性强、分布均匀的等离子体;采用980nm红外激光加热技术对样品进行加热,从而满足辐照所需温度;同时利用红外测温仪对样品温度进行实时监控,通过改变激光功率保证其温度在实验要求范围内;产生的等离子体在外加负偏压电场下被加速,以一定的动能注入到样品上。 实验用等离子体辐照平台对n型SiC半导体材料进行辐照,保持辐照温度和能量不变,改变辐照剂量;通过扫描探针显微镜观察辐照后的样品;随着辐照剂量的增加,样品表面肿胀逐渐增多并变大;用扫描探针显微镜纳米压痕模式及纳米划痕模式,对辐照后的碳化硅材料硬度进行分析;另外利用导电式原子力显微镜对样品导电性进行分析,结果表明当辐照剂量超过1X10~16ion/cm2时,半导体材料失去其特有的导电特性,电流电压曲线变为一条直线,材料导电性质变为欧姆导电;通过X射线衍射仪对其进行光学特性分析。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2014
【分类号】:TN304.2

手机知网App
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 陈一峰;刘兴钊;邓新武;;VLS机制生长SiC晶须研究[J];材料导报;2010年S1期
2 林兰英;;高温半导体材料[J];科学通报;1964年03期
3 张文俊;;微波器件的最佳半导体材料[J];微纳电子技术;1972年04期
4 ;·百花苑·[J];国外测井技术;2003年02期
5 ;国内要闻[J];电子工业专用设备;2005年04期
6 王光红;施成营;冯敏;曹学伟;郝建民;王玉芳;杨素华;;拉曼光谱研究n型4H-和6H-SiC晶体的载流子浓度[J];光散射学报;2007年02期
7 崔晓英;;SiC半导体材料和工艺的发展状况[J];电子产品可靠性与环境试验;2007年04期
8 张英杰;邓爱红;幸浩洋;龙娟娟;喻菁;于鑫翔;程祥;;正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用[J];四川大学学报(自然科学版);2008年03期
9 达小丽;沈光地;刘建平;牛南辉;朱彦旭;梁庭;邹德恕;郭霞;;等离子体处理对GaN发光二极管性能影响[J];北京工业大学学报;2008年07期
10 阎研,黄福敏,张树霖,朱邦芬,尚尔轶,范守善;SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱[J];半导体学报;2001年06期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 胡睿;张华明;王关全;熊晓玲;杨玉青;魏洪源;;一种用于曲面核电池的镍膜制备工艺初探[A];第十届中国核靶技术学术交流会摘要集[C];2009年
2 陈接胜;;微孔晶体SAPO-44对Se及HgI_2半导体粒子的组装[A];材料科学与工程技术——中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
3 罗妙宣;王华;夏华丽;;LED显示技术及其发展趋势[A];2005年中国科协学术年会论文集第8分会场光固化与数字成像技术及其应用论文集[C];2005年
4 禹烨;牛燕雄;张鹏;刘杰;;强激光辐照半导体材料的热冲击效应研究[A];中国光学学会2006年学术大会论文摘要集[C];2006年
5 张敏;班士良;;压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应[A];第11届全国发光学学术会议论文摘要集[C];2007年
6 李剑锋;孙涛;;半导体生产对石英制品的要求[A];第四届高新技术用硅质材料及石英制品技术与市场研讨会论文集[C];2006年
7 邵云东;王柱;;用正电子湮没技术研究半导体材料GaSb的微结构[A];第九届全国正电子谱学会议论文集[C];2005年
8 张小章;邓宁;周明胜;;同位素纯硅半导体器件研制及性能测试[A];中国科协2005年学术年会论文集——核科技、核应用、核经济论坛[C];2005年
9 孙章;杨正;唐紫超;;硼、铝、镓/硅二元团簇的时间飞行质谱研究[A];第九届全国化学动力学会议论文摘要集[C];2005年
10 孟青;王成亮;江浪;李洪祥;胡文平;;高性能有机场效应晶体管半导体材料的设计、合成及性能研究[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 常丽君;辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料[N];科技日报;2011年
2 记者 李锐;上海新阳欲做世界一流半导体材料供应商[N];上海证券报;2011年
3 上海新阳半导体材料股份有限公司总工程师 孙江燕;半导体材料本地化需求趋增[N];中国电子报;2010年
4 ;东汽峨半:勇做中国半导体材料行业的领跑者[N];中国有色金属报;2008年
5 ;中外科学家共同发现两种新型半导体材料[N];人民邮电;2002年
6 ;新政策对半导体材料业有积极作用[N];中国电子报;2009年
7 记者任建民;科学家发现新一代半导体材料[N];人民日报;2002年
8 京新;科学家发现新一代半导体材料[N];中国有色金属报;2002年
9 本报记者 三木;半导体材料寻求行业突破[N];中国高新技术产业导报;2003年
10 CCID微电子研究所;日益丰富的半导体材料[N];中国电子报;2002年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 孔晋芳;氧化锌基半导体材料的拉曼光谱研究[D];上海交通大学;2009年
2 俞琳;非磁性离子掺杂宽带隙半导体磁性的第一性原理研究[D];山东大学;2010年
3 陈小庆;宽带隙半导体SiC和ZnO的光电性质及掺杂研究[D];中国科学技术大学;2010年
4 赖康荣;几种铋基半导体材料的电子结构及光催化性质的理论研究[D];山东大学;2012年
5 马格林;一种新的SiC外延材料质量评估方法[D];西安电子科技大学;2011年
6 苗瑞霞;4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
7 王威;配位型有机/无机复合半导体材料的结构与性质研究[D];清华大学;2009年
8 张发生;4H-SiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件研究[D];湖南大学;2010年
9 朱金广;多层半导体材料中光学声子的辅助共振隧穿[D];内蒙古大学;2012年
10 刘金章;一维纳米功能材料的制备与特性研究[D];兰州大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 杨德明;SiC半导体材料抗辐照特性研究[D];长春理工大学;2014年
2 张云;SiC材料P型掺杂的第一性原理研究[D];北京化工大学;2010年
3 盖庆丰;4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析[D];西安电子科技大学;2010年
4 张智;掺N的4H-SiC第一性原理研究[D];西安电子科技大学;2011年
5 郭鑫;SiC外延生长加热系统热场分析[D];西安电子科技大学;2011年
6 刘强;新型SiC光导开关特性研究[D];西安电子科技大学;2011年
7 陈润乾;基于密度泛函的SiC异质结研究[D];西安电子科技大学;2011年
8 王君君;氮和磷掺杂对3C-SiC光学性质的影响[D];燕山大学;2010年
9 宋庆文;4H-SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
10 周艳萍;SiC多型体的第一性原理计算研究[D];燕山大学;2011年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026