先进技术微通道板连续打拿极的研究

【摘要】：先进技术微通道板(Advanced Technology Microchannel Plates，AT-MCP)是美国伽利略公司90年代中期提出的一种全新的微通道板制作技术。通道内壁连续打拿极的形成是AT-MCP制造的关键技术之一，AT-MCP最大的突破就是将基底材料和打拿极材料选择分开，同时也将微孔列阵与连续打拿极制作工艺分开，因此AT-MCP内壁连续打拿极的形成具有材料选择范围宽，工艺灵活性大等优点。据此，本论文主要研究了连续打拿极材料发射特性，同时探索了AT—MCP形成工艺。实验采用多路感应耦合等离子(ICP)刻蚀系统形成微孔列阵，利用LPVCD在深通道内壁形成多晶Si薄膜作为连续打拿极导电层，再利用热氧化工艺形成SiO_2二次电子发射倍增膜，制备出具有一定性能的AT-MCP样品。最后利用MCP特性测试系统测量MCP电子增益等特性参数。为了进一步研究次级发射材料发射特性，在制备连续打拿极时加入陪片，利用二次电子发射系数测试系统测试陪片的次级发射系数，研究次级发射材料的发射特性。

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10	;FD-71管三栅二次发射的抑制[J];真空电子技术;1967年02期
11	柳襄怀,邹世昌,屠聿善;离子注入改善二次电子发射特性研究[J];电子学报;1987年01期
12	冯敦平;用X射线光电子谱仪测量功函数变化的一种新方法[J];福州大学学报(自然科学版);1992年01期
13	端木庆铎,田景全,姜会林,姜德龙,李野,卢耀华,富丽晨;二维电子倍增器及其新发展[J];红外技术;1999年06期
14	王仁道,邓长军,侯万秋,邵贝贝;用于束流断面鉴测的多路系统[J];数据采集与处理;1989年S1期
15	黄桃;杨中海;李斌;胡权;廖莉;肖礼;朱小芳;;行波管多级降压收集极CAD软件研究与实现[J];电子与信息学报;2007年08期
16	彭国贤;二次电子发射系数的测量及应用[J];现代显示;1999年02期
17	徐静平,钟德刚,于军;N_2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进[J];华中科技大学学报;2001年S1期
18	金大志;杨中海;戴晶怡;;中子发生器中二次电子抑制的数值模拟[J];电子科技大学学报;2009年01期
19	徐静声,屠彦;二次电子发射系数对新型SM-PDP放电过程的影响[J];电子器件;2004年02期
20	李野;高延军;王国政;付申成;吴奎;姜德龙;端木庆铎;田景全;;新一代二维通道电子倍增器的薄膜连续打拿极[J];发光学报;2006年03期

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8	谭杰;真空表面绝缘特性研究[D];中国工程物理研究院北京研究生部;2003年
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