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《长春理工大学》 2010年
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一维ZnO纳米结构制备及其异质结光电性能研究

李东明  
【摘要】: ZnO作为重要的半导体材料,近年来受到了广泛的关注。本论文针对ZnO纳米材料研究的热点问题,研究了水热合成法和气相传输方法制备一维ZnO纳米结构及其生长机理。利用n-ZnO纳米结构与p-Si制备了p-n异质结结构,并对其光电性能进行了研究。 本论文的具体研究内容如下: (1)利用水热合成法制备一维ZnO纳米结构,对样品的结构、形貌进行表征并分析其生长机理,通过PL测试,发现制备的ZnO纳米结构具有良好的光学性能。 (2)利用气相传输法制备了ZnO纳米线阵列,分析了其生长机制,并对其进行了测试。在实验过程中,改变了实验条件,发现载气流量和载气浓度比R能够影响ZnO形貌。 (3)利用n-ZnO纳米结构与p-Si制备p-n异质结结构。首先,对p-Si进行刻蚀,然后利用水热合成方法在刻蚀后的Si片上生长ZnO纳米结构。经过测试,形成的p-n异质结具有较好的结结构和光电性能。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:TB383.1

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