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《长春理工大学》 2010年
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MgO二次电子发射特性及薄膜制备技术

步庆杰  
【摘要】: MgO属于面心立方结构,晶格常数为4.213(?),具有很多优良的性质,可作为功能性氧化物薄膜材料与硅衬底之间的缓冲层、等离子体显示器(PDP)的介质保护层以及微通道板的打拿极材料等。 本论文以醋酸镁为前驱物,采用溶胶-凝胶甩胶法在Si衬底上制备了MgO薄膜,讨论了溶胶浓度、薄膜层数和退火温度等对薄膜质量的影响,在氧气氛围下经600℃退火处理后得到具有(200)(220)晶相的MgO薄膜,通过在前驱体配制时加入一定量的醋酸锌调节MgO的电阻率,使其满足微通道板导电层对电阻率的要求,在理论上对MgO的二次电子发射特性进行分析,给出MgO薄膜作为打拿极发射层有效膜厚参考值为1.13-1.52nm,并对用MgO作为打拿级发射层材料时硅微通道板的增益进行模拟分析,在相同的实验条件下,MgO薄膜作打拿极发射层时得到的微通道板增益要高于SiO_2作打拿极发射层的增益。
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2010
【分类号】:O484.1

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 李鹏;用于PDP的Zn~(2+)掺杂MgO薄膜制备与研究[D];电子科技大学;2012年
【参考文献】
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【共引文献】
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3 谢爱根;郭胜利;李传起;裴元吉;;测量氧化镁的二次电子发射系数[J];安徽大学学报(自然科学版);2006年06期
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【同被引文献】
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【二级参考文献】
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7 潘建华;微通道板扩口工艺及图像检测技术研究[D];南京理工大学;2004年
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9 邹峰;微通道板行波选通分幅相机动态特性的Monte-Carlo模拟[D];中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所);2007年
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