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氧化锌可见区发光机理研究进展

王纪宏  
【摘要】:ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能达60 meV,保证了在室温下较强的激子发光。而且ZnO由于它优异的光电特性,在发光(激光)二极管、紫外探测器、气敏元件、平板显示器等领域它都有很好的应用前景。 通常ZnO薄膜的发光可分为近带边(NBE)紫外发光和深能级(DL)发射,虽然ZnO可见区发光机理是氧化锌研究当中一个十分重要的问题。但由于ZnO材料本身的特点,虽然许多研究小组对此进行了广泛的研究,但到目前为止仍然没有统一的观点。本文主要围绕应用量子限制效应、带边调制及表面修饰等不同方法对ZnO可见区发光机理的研究进行了综述。


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