脉冲注入式半导体激光器电—光—热特性及其测试技术研究
【摘要】:
作为一种新型的激光光源,半导体激光器(Laser Diode,简称LD)因其转换效率高、体积小、重量轻、可靠性高和能直接调制,以及与其它半导体器件集成的能力强等优点,已经成为重要的商品而得到广泛的应用,其工作稳定性和可靠性在应用系统中起着关键作用。半导体激光器是精密的光电子器件,伴随着其应用范围的扩大,对其性能也提出了越来越高的要求,从晶片—管芯—组件装配的各个阶段,都要求对器件进行严格的测试,以保证器件的成品率和可靠性,从而对半导体激光器的性能表征测试技术的研究提出了新的要求。为此,本文对有关半导体激光器电-光-热特性的研究现状进行了详细分析,并针对目前半导体激光器性能表征测试存在的问题,对脉冲注入下半导体激光器特性及其表征测试进行了深入的研究和探讨。
基于半导体激光器的单模速率方程,建立了脉冲注入式半导体激光器电学和光学等效电路模型,该模型将脉冲驱动源、寄生参量和热耗散电流集成到等效电路模型中,仿真与实验结果表明,该模型能够更有效地用于分析和表征器件的工作特性。利用该模型对脉冲注入下半导体激光器的工作特性进行了非稳态和稳态分析,得出了偏置电流、脉冲峰值电流、脉冲宽度和脉冲周期,以及工作温度对半导体激光器光电特性变化影响的基本规律,这为半导体激光器的脉冲驱动与测试技术的深入研究提供了理论基础。
针对脉冲注入式半导体激光器热特性研究的需要,在对半导体激光器热产生机制及热流分析的基础上,建立了半导体激光器传热模型,并推导出计算脉冲注入式半导体激光器有源区的温度解析式,同时,建立脉冲注入式半导体激光器的热网络模型。实验结果表明,该方法是一种行之有效的建模方法,从而为脉冲注入下半导体激光器的传热特性分析及温度控制系统的研究提供了简便的模型。利用该模型对影响脉冲注入式半导体激光器有源区温度稳定性的因素进行了分析,结果表明,脉冲峰值电流、脉冲宽度、脉冲周期以及外部环境温度都是影响有源区温度稳定性的重要因素。
根据脉冲注入式半导体激光器电-光-热特性表征测试的需要,建立了集温度控制、脉冲驱动源与测试单元于一体的综合测试系统。以矩形脉冲信号作为耦合输出接口的开关控制信号,采用恒流源+耦合输出接口的方法来设计脉冲驱动电流源,有效地保证了脉冲电流的峰值稳定度、脉冲上升时间和下降时间,实现了脉冲电流幅值、脉冲宽度和脉冲周期,以及采样门信号的连续独立可调;测试单元以与脉冲电流源同步的采样门信号作为控制信号来控制高速的采样保持器,可实现多路脉冲信号快速同步采样;数字控制器采用高性能单片机与利用FPGA器件实现的逻辑控制相结合的设计方法,有效地提高了系统的可靠性和可扩展能力。通过与现有的连续半导体激光器特性参数测试系统的比对测试实验证明了所研制的脉冲注入式测试系统的可行性,且具有最小脉冲宽度达100ns的窄脉冲驱动和测试能力。该测试系统和测试方法有效地解决了热特性差或散热情况未知的半导体激光器特性表征测试。
以脉冲注入下的端电压作为温敏参数进行了半导体激光器有源区温升测量,并以此作为热特性的表征。采用脉冲电流作为激励源来定标端电压的温度系数,同时研究了脉冲宽度和脉冲周期对端电压的影响规律,确定了采用脉冲宽度为100ns,脉冲周期为10μs的脉冲电流作为定标电流的可行性,该方法考虑了注入电流的自热效应,有效地提高了端电压温度系数的定标精度,利用脉冲注入式端电压法可以方便的测试激光器自发发射和受激发射阶段的器件的热特性,与其它方法相比,更具有通用性。
|
|
|
|
1 |
史一京;;半导体激光器的光注入调试[J];中国激光;1983年Z1期 |
2 |
徐振华;室温下15GHz直接调制的半导体激光器[J];半导体光电;1986年01期 |
3 |
罗本清;PCM二次群和三次群光发射盘[J];半导体光电;1987年03期 |
4 |
陈其道;在快速激发下,DC—PBH 1.3μm InGaAsP/InP激光器的动态光谱展宽。[J];半导体光电;1987年03期 |
5 |
刘弘度,林祥芝,鲍学军;单纵模耦合腔半导体激光器[J];光通信技术;1987年01期 |
6 |
李林林,杨恩泽;半导体激光器的强度调制研究[J];半导体光电;1988年04期 |
7 |
冯佩珍;;光通信用长波长光电器件市场新动向[J];激光与红外;1988年07期 |
8 |
李及,闫军;半导体激光器的最新进展[J];今日科技;1996年01期 |
9 |
贾洪均;蒋涛;;国外半导体激光器发展概况[J];半导体光电;1980年04期 |
10 |
杜国同,全宝富,邓希敏,苗忠礼,高鼎三;氧化物隔离条形双异质结激光器[J];半导体光电;1981年02期 |
11 |
John Maddox;舒可;;为什么要庆祝激光器发明二十五周年[J];世界科学;1985年12期 |
12 |
张舒仁;;半导体激光器激励电路[J];激光技术;1985年04期 |
13 |
陈其道;用半导体激光器的增益开关特性产生光脉冲[J];半导体光电;1988年01期 |
14 |
盛柏桢;频率可变半导体激光器[J];固体电子学研究与进展;1993年01期 |
15 |
曾小东,穆美丽;半导体激光器光束远场特性研究[J];光学学报;1997年08期 |
16 |
孙晓明,强锡富,马军山,杨猛;半导体激光器直接电控稳频方法[J];仪器仪表学报;1997年03期 |
17 |
朱茂华,黄德康,钟福艳;半导体激光器的电流调制特性研究[J];大学物理实验;2003年04期 |
18 |
章朝阳;;高精度输出半导体激光器的温度控制系统设计[J];科技广场;2007年05期 |
19 |
田振华;孙成林;曹军胜;郜峰利;宁永强;王立军;;准连续输出大功率半导体激光器的结温测试[J];光学精密工程;2011年06期 |
20 |
单永政,杜宝勋;非均匀半导体激光器传输特性的理论分析[J];半导体学报;1983年01期 |
|