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《佳木斯大学》 2018年
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纯镁阳极氧化膜层不同后处理的细胞相容性研究

李翀乾  
【摘要】:目的:纯镁阳极氧化过程中火花放电作用会在氧化膜层表面形成微小孔洞、裂纹,这些孔隙结构会成为体液侵入镁基体的通道,引起材料的快速降解腐蚀。本研究通过对纯镁阳极氧化膜层表面进行不同后处理,期望提高复合膜层的耐腐蚀性及细胞相容性。方法:将纯镁阳极氧化处理试件随机分为四组,并对其中三组分别进行硅烷处理、硅烷-植酸处理、硅烷-植酸载铜处理。纯镁阳极氧化处理组为A组、纯镁阳极氧化-硅烷处理组为B组、纯镁阳极氧化-硅烷-植酸处理组为C组、纯镁阳极氧化-硅烷-植酸载铜处理组为D组,其中A组为对照组,B组、C组、D组为实验组。采用扫描电镜法研究膜层形貌,并对载铜试件进行元素分析;通过激光共聚焦法观察细胞骨架及细胞铺展情况,利用CCK-8(Cell Counting Kit-8)法检测不同膜层表面的细胞粘附、增殖能力。结果:扫描电镜结果显示,实验组膜层表面孔隙及裂纹与对照组相比皆有所减少,按D组、C组、B组顺序逐渐减小,D组封孔效果最好。对纯镁阳极氧化-硅烷-植酸载铜处理组试件进行元素分析知O、C、Si元素含量较高,Mg元素含量很少,Cu元素质量分数为6.3%。激光共聚焦结果显示,实验组细胞铺展情况皆优于对照组,且纯镁阳极氧化-硅烷-植酸组细胞铺展状况最佳。CCK-8法测细胞粘附、增殖水平,实验结果经统计学分析各组数据都具有统计学意义(P﹤0.05)且C组效果最好,D组次之,B组再次,但皆优于A组。结论:纯镁阳极氧化膜层不同后处理,能够实现封孔作用进而提高材料的耐蚀性,并提高细胞相容性。纯镁阳极氧化-硅烷-植酸载铜膜层,封孔最好,细胞活性较好,Cu元素质量分数为6.3%。纯镁阳极氧化-硅烷-植酸处理组膜层细胞生物活性最佳。
【学位授予单位】:佳木斯大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:R783.1

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