硫系玻璃的光致改性与微光子学器件研究
【摘要】:硫系玻璃材料由于具有高折射率、宽红外透明窗口、极高的光学非线性,以及丰富的光敏性如光致相变、光致聚合和光致暗化等性质,是重要的光学材料,在非线性集成光学器件、高密度光存储和生物光子学上有巨大的应用潜力。本文围绕着如何提升硫系玻璃的光学性质及制备微纳光子学结构和器件开展了系列研究工作。
首先,我们利用中心波长为780 nm飞秒激光与波长为579 nm连续激光对As2S3玻璃进行了照射,研究超短脉冲双光子激发和亚带隙的连续激光激发引发材料的不同光学性质(线性和非线性光学性质)改变。接着,我们利用了中心波长为800 nm飞秒激光对硫系玻璃的不同作用(包括激光表面烧蚀,激光内部破坏和激光诱导选择性腐蚀),在As2S3体材料玻璃上制作了不同的微纳光子学结构。最后,我们成功制作出硫系玻璃的微纳光纤,并将微纳光纤转移到硅基片上形成掩埋型波导,成功制备了高Q微谐振腔等不同类型的微纳光子学器件,并实现了窄带滤波、超连续光产生等不同的功能。
本论文的创新点主要有以下几点:
1.通过飞秒激光与连续激光实现了对As2S3硫系玻璃非线性折射率的调节,其中飞秒激光能增强非线性折射率最高达50%,而连续激光能减弱非线性折射率最高达60%。我们对其变化的原因进行了讨论。提出了两种激光产生了不同的缺陷,飞秒激光产生的变价对缺陷能增强样品三阶光学非线性系数,而亚带隙连续激光产生的同极键缺陷则会降低其三阶光学非线性系数。
2.我们利用了飞秒激光对硫系玻璃的不同作用在As2S3体材料玻璃制作了不同的微纳光子学结构。利用飞秒激光对材料的表面烧蚀,在多脉冲照射情况下产生周期为180 nm的纳米光栅,在单脉冲照射下产生直径为200 nm的纳米洞结构。并通过系列的实验验证了产生纳米光栅的理论。指出在硫系玻璃内,激光诱导等离子体的非均匀生长可能是产生纳米光栅的主要原因。研究了飞秒激光暗化后材料在有机胺类溶液的选择性腐蚀效应,制作出宽为2.5μm的微管。
3.制作出的基板上的掩埋型硫系玻璃微纳光子学器件。通过熔融拉锥方法制作出直径最小可达200 nm的As2S3玻璃光纤,并成功地将微纳光纤掩埋于聚合物SU8胶中并固定并保护在硅基板上。制作出低传输损耗的波导与高Q值的结形微腔。利用532 nm连续激光的照射,实现了结形微腔共振波长的调节,调节范围约1.5 nm。通过中心波长在1560 nm的飞秒激光泵浦直径为1μmm长度为7 cm的直波导,在脉冲能量为2 nJ的情况下,实现了光谱宽度为500 nm的激光超连续展宽。
|
|
|
|
1 |
薛建强,徐曼,龚跃球,赵修建;硫系玻璃的制备、特性及应用[J];光电子技术与信息;2003年04期 |
2 |
梁振华,程继健;掺铁与铜的硫系玻璃的电学性质与能带结构[J];无机材料学报;1992年02期 |
3 |
李燕;GeTe系非晶相变薄膜的制备及性能研究[J];电子科技大学学报;1996年06期 |
4 |
骆守俊;黄富元;詹道教;王猛;;硫系玻璃在红外成像系统应用进展[J];激光与红外;2010年01期 |
5 |
梁振华;程继健;;Cu-As-Se硫系玻璃离子选择性电极的研究[J];化学传感器;1988年04期 |
6 |
门洪,邹绍芳,王平,Andrey Legin,沈静琴,许祝安;脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究[J];浙江大学学报(工学版);2005年04期 |
7 |
陈昱;沈祥;徐铁峰;张巍;陈芬;李军;宋宝安;戴世勋;聂秋华;王占山;;硫系玻璃光波导研究进展[J];激光与光电子学进展;2011年11期 |
8 |
张军杰,胡和方,张龙,林凤英;掺Pr~(3+)硫(卤)系玻璃1.3μm光纤放大器[J];功能材料;1999年05期 |
9 |
门洪;邬广建;李小英;王平;;硫系玻璃传感器及其试验研究[J];传感技术学报;2006年04期 |
10 |
肖海燕;陶海征;龚跃球;董国平;林常规;;Ge_(27)In_8S_(65)玻璃的超快三阶非线性光学性质研究[J];武汉理工大学学报;2007年03期 |
11 |
张方晖;席俭飞;王秀峰;;硫系玻璃薄膜封装层对OLED寿命的影响[J];半导体光电;2010年01期 |
12 |
史广维;张新;王灵杰;何锋赟;张建萍;;新型硫系玻璃在低成本热成像系统设计中的应用[J];红外与激光工程;2011年04期 |
13 |
许军锋;坚增运;常芳娥;王有超;魏超锋;;Ge_(23)Se_(67)Sb_(10)玻璃非等温结晶动力学研究[J];功能材料;2007年07期 |
14 |
苏宇欢,毕叔和,任学民;硫系玻璃红外光纤的特性和应用研究[J];光纤与电缆及其应用技术;2000年05期 |
15 |
刘硕;李曙光;付博;周洪松;冯荣普;;中红外高保偏硫系玻璃双芯光子晶体光纤耦合特性研究[J];物理学报;2011年03期 |
16 |
陈光华,王印月,吴锦华,甘润今,张仿清;Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响[J];半导体学报;1980年03期 |
17 |
谢才清;毛绍柏;徐晓琴;;S—Se系统玻璃半导体的制备及其性质(研究阶段进展报告)[J];光电工程;1982年03期 |
18 |
C.L.Dargan;汪亚明;;某些硫系无定形材料记忆开关工作的比较[J];微纳电子技术;1975年10期 |
19 |
杨培志;刘黎明;张小文;莫镜辉;;长波红外光学材料的研究进展[J];无机材料学报;2008年04期 |
20 |
;“2010中国光学重要成果”介绍[J];激光与光电子学进展;2011年05期 |
|