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《复旦大学》 2009年
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高压场效应管的建模方案

王正楠  
【摘要】:根据论文课题,首先对课题对象高压场效应管LDMOS进行实验数据采集,根据大量采集得到的数据结合工艺与器件物理原理上的分析,对一些效应例如准饱和效应,碰撞电离以及自热效应等高压器件特有的现象进行了物理分析。同时参考了工艺模拟中的LDMOS漂移区电阻的计算推导,在计算出漂移区电阻公式,利用电阻公式建立了以bsim3v3 MOSFET model为核心,漏端串连漂移区电阻的比较原始的宏模型结构等效电路。在该等效电路的基础上,将其他一些效应采用近似的电路元件来代替,最后建立成一个比较复杂的宏模型电路。为了验证该电路的正确性,又将其转变成了HSPICE格式的model card,利用MBP等模型参数提取软件提取其中的模型参数,得到了能够比较精确模拟高压特性的模型解决方法。最后通过SPICE的仿真结果同不同器件尺寸的实测数据进行比对,验证了其正确性。
【学位授予单位】:复旦大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:TN386

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前6条
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3 孟坚,高珊,陈军宁,柯导明,孙伟锋,时龙兴,徐超;用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型[J];半导体学报;2005年10期
4 孙伟锋,吴建辉,陆生礼,时龙兴;一种新型偏置栅MOS管漂移区表面电压和电场的分析模型[J];电子器件;2002年03期
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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3 吴秀龙,孟坚,陈军宁,柯导明,时龙兴,孙伟锋;加场极板LDMOS的击穿电压的分析[J];安徽大学学报(自然科学版);2004年01期
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 何延强;功率VDMOS器件失效分析与可靠性研究[D];哈尔滨理工大学;2010年
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5 赵志桓;功率场效应晶体管(MOSFET)的可制造性设计[D];山东大学;2010年
6 向莉;H桥功率驱动电路设计及其BCD工艺平台开发[D];电子科技大学;2011年
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9 高唤梅;一种PSM控制反激式AC/DC开关电源的设计[D];电子科技大学;2011年
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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4 孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼;高可靠性P-LDMOS研究[J];半导体学报;2004年12期
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6 吴建辉,孙伟锋,陆生礼;PDP选址驱动芯片高压管设计[J];东南大学学报(自然科学版);2003年02期
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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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3 本报记者 刘英赫;为通信产业“心脏”助力[N];中国电子报;2001年
4 吴映红;微波功率DMOS技术漫谈[N];中国电子报;2001年
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6 段宝兴;横向高压器件电场调制效应及新器件研究[D];电子科技大学;2007年
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9 关乐;基于宏模型技术的MEMS系统级仿真研究[D];大连理工大学;2011年
10 林谢昭;静电微器件的模型自由度缩减方法研究[D];浙江大学;2010年
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1 王正楠;高压场效应管的建模方案[D];复旦大学;2009年
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5 郭永芳;高压SOI LDMOS击穿机理分析及器件制备[D];电子科技大学;2003年
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7 王龙;线性变掺杂漂移区LDMOS导通电阻和温度特性研究[D];安徽大学;2011年
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10 尹裕;带有双电子开关的LDO电源管理芯片的设计[D];吉林大学;2006年
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