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《上海交通大学》 2007年
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SoC动静态压降分析方法

金毅  
【摘要】:随着SoC设计中工艺特征尺寸的减小,工作频率的提高,供电电压的下降,功率密度急剧增大。在90nm及以下的SoC设计中,功耗和压降成为不可忽略的参数指标。因此,电源完整性分析成了流片前签核阶段的必要工作。并且,单纯的静态压降分析已经不足以发现并解决由压降过大引起的潜在问题,动态压降分析更加必要,也更为重要和复杂。本文将以CMOS90GP工艺的CPU设计项目为例,介绍SoC的动静态压降的分析方法。为了满足CPU 1GHz以上工作频率的需要,供电电压选择了90GP工艺中较高的供电电压1.2V。
【学位授予单位】:上海交通大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2007
【分类号】:TN47

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【参考文献】
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