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《华东理工大学》 2012年
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射频反应磁控溅射制备ZAO薄膜及其光电性质研究

许飞  
【摘要】:本文采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下生长了A1掺杂ZnO薄膜(ZAO)。研究了不同ZAO薄膜的晶体结构、表面形貌、电学以及光学性质,为开发ZAO薄膜在TCO材料领域的应用提供实验依据和理论指导。 原子力显微镜(AFM)测试结果表明,Al掺杂使薄膜平均粒径明显减小,尺寸分布均匀、致密,表面粗糙度降低;X射线衍射(XRD)结果显示,薄膜沿(002)晶面择优取向生长。当Ar/q流量比为1:1时,薄膜具有相对最好的结晶取向性,并显示沿薄膜表面的压应力及沿C轴张应力。 光电性质研究结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,并且导电性随Ar/O2比中O2含量增加而减小。薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和Eg随Ar/O2比中为O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移。
【学位授予单位】:华东理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2012
【分类号】:O484.4

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【参考文献】
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