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《华东师范大学》 2011年
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氧化锌稀磁半导体制备与性能的研究

栾洪霞  
【摘要】:稀磁半导体作为新兴的功能材料,能将电子电荷自由度和自旋自由度结合起来,从而有望实现将数据的处理,传输和存储集中于一种材料,从事使此类应用的半导体材料的成本大大降低。因此制备出居里温度高于室温的稀磁半导体将推进此类材料的应用。 本实验应用溶胶凝胶法,制备过渡金属掺杂的氧化锌稀磁半导体,由于制备过程对样品的性能和结构有重要的影响,通过严格控制制备条件,减少外界的影响,然后对不同样品的性能检测,从而总结出影响样品性能的主要因素。样品的不同的掺杂成分和掺杂浓度都能使样品的性能和结构发生改变,过对样品磁性,形貌,价态,以及结构的检测,对它们进行比较,推断对性能产生影响的因素。 对不同条件下制备出的样品进行磁性检测,看其是否具有室温铁磁性,是否成功制备出了居里温度高于室温的稀磁半导体,结果发现,经过油浴和未经过油浴条件下,制备相同的掺杂成分和掺杂比例的样品,表现出不同的磁性能。经比较,探究制备条件对制备的样品微观结构产生的影响。我们可以总结出影响样品磁性能的重要因素,为后期选择条件制备所需性能的样品打下基础。 对样品的结构检测,发现虽然掺杂过渡金属,但样品仍为氧化锌纤锌矿结构,并未因掺杂而对半导体结构产生影响。
【学位授予单位】:华东师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:TN304.05

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【参考文献】
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