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《苏州大学》 2001年
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α-C:F薄膜的沉积、结构与介电性质研究

叶超  
【摘要】: 用微波电子回旋共振(ECR)等离子体化学气相沉积(CVD)技术 和CHF_3、C_6H_6源气体的新组合沉积了F/C比在0.11-0.62之间的氟化非 晶碳(α-C:F)薄膜材料。重点研究了微波功率的变化对薄膜沉积、气 体放电和薄膜结构的影响,初步分析了薄膜的介电色散性质和极化机理。 由于微波功率的改变会导致等离子体中电子温度和等离子体密度发生变 化,从而造成不同的源气体分解过程,结果微波功率的升高导致了薄膜 沉积速率的提高、F/C比的降低,同时也导致薄膜中CF和CF_3基团密度 的降低,而保持CF_2基团密度接近常数。在560W以上的高微波功率下 沉积的薄膜是主要由CF_2基团和C=C结构组成的α-C:F薄膜。薄膜的介 电频率关系(f=1×10~3-1×10~6Hz)和损耗频率关系(f=1×10~2-1×10~5Hz) 均服从指数规律,随频率的增大而减小;对薄膜的电导频率关系的分析 表明,这种指数规律的介电色散关系与由缺陷中心之间简单隧穿引起的 跳跃导电过程有关。根据低频和光频介电常数的比较,发现α-C:F薄膜的 介电极化主要来源于电子极化。
【学位授予单位】:苏州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2001
【分类号】:O484.1;O484.4

【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 李伟;介质阻挡放电法氟碳薄膜制备工艺及性能研究[D];大连交通大学;2007年
【参考文献】
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【共引文献】
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