收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

立方氮化硼薄膜中氧杂质的研究

邱发敏  
【摘要】:立方氮化硼(cBN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族半导体,它有许多优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁系金属反应、可简单的n型和p型掺杂等,使其cBN薄膜在切削刀具、电子、光学器件等方面有着非常诱人的应用前景,多年来一直吸引着国内外众多研究者的兴趣。 要把cBN薄膜用于高温电子器件,必须先制备高纯度的cBN薄膜,然后进行可控掺杂。而cBN薄膜多采用气相生长技术制备,故cBN薄膜中氧杂质的检测和控制对制备高纯度的cBN薄膜、后续掺杂及其应用尤其重要。 本文采用等离子体增强化学气相生长技术制备cBN薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气分量对cBN薄膜中氧杂质含量的影响。结果发现背底真空度提高至10-5Pa并不能完全消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质。氧分量的引入对薄膜的成核和生长都有抑制作用。当B2H6的浓度为2.5%时,薄膜形核的临界氧气浓度低于1.4%,但薄膜生长的临界氧气浓度可高于2.1%。 同时,随着cBN薄膜中氧杂质的增加,薄膜的红外吸收谱中开始在1230cm-1附近出现新的吸收峰。该吸收峰可归属于三角形BO3中B-O键的反对称伸缩振动。还发现,该吸收峰的强度和cBN薄膜中的氧杂质在3-12atom%范围内呈现出较好的线性关系,因此可以通过红外测试分析该吸收峰,半定量地测定薄膜中氧杂质杂质的含量。


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 赵永年,王波,何志,陶艳春,邹广田;立方氮化硼薄膜内应力的电镜观察和红外光谱研究[J];人工晶体学报;1997年Z1期
2 廖克俊,王万录;热灯丝射频等离子体CVD法立方氮化硼薄膜某些性质的研究[J];人工晶体学报;1995年04期
3 杨国伟;金刚石及相关薄膜制备研究进展[J];材料导报;2000年01期
4 姬荣斌,王万录,廖克俊,张斌;热丝辅助等离子体化学气相法生长c-BN薄膜[J];硅酸盐学报;1994年02期
5 蔡志海,杜玉萍,谭俊,张平,赵军军,黄安平,许仕龙,严辉;高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征[J];材料保护;2005年01期
6 王钧石;;立方氮化硼薄膜的制备工艺[J];材料开发与应用;2009年05期
7 谭俊,张平,蔡志海,王晓晴,唐云;离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究[J];核技术;2003年05期
8 陈浩;邓金祥;陈光华;刘钧锴;田凌;;衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响[J];半导体学报;2005年12期
9 程德刚,吕反修,黄志文,邱春正;气相沉积立方氮化硼薄膜的研究与发展状况[J];表面技术;1997年06期
10 张宇辉;采用离子注入和蒸镀法合成立方氮化硼薄膜超硬刀具表面处理新工艺[J];工具技术;1983年11期
11 张兴旺;游经碧;陈诺夫;;立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展[J];无机材料学报;2007年03期
12 闫鹏勋,杨思泽,李兵,陈熙琛;立方氮化硼薄膜的脉冲等离子体室温生长[J];科学通报;1995年05期
13 ;薄膜材料与器件[J];中国光学与应用光学文摘;1999年01期
14 蔡志海;张平;谭俊;;立方氮化硼薄膜的形核与生长过程试验研究[J];中国表面工程;2005年06期
15 小今;硫和氧杂质对Fe-38%Ni-8%Cr合金软磁性能的影响[J];金属功能材料;1998年01期
16 吕惠民;陈光德;耶红刚;颜国君;谷力;郭金仓;孙帅涛;;六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究(英文)[J];光子学报;2008年08期
17 阎鹏勋,杨思泽,孙牧,任育峰,李兵,陈熙琛;室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜[J];金属学报;1995年23期
18 施锦行;氮化铝的室温热导率[J];中国陶瓷;1995年05期
19 贺林;孙军;;氧对Zr-Cu-Ni-Al-Ti块体非晶合金热稳定性的影响[J];金属学报;2006年02期
20 马大衍;马胜利;徐可为;薛其坤;S.Veprek;;氧杂质致Ti-Si-N薄膜高硬度损失的机理[J];材料研究学报;2008年03期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 邓金祥;陈浩;陈光华;刘钧锴;宋雪梅;朱秀红;王波;严辉;;立方氮化硼薄膜表面的XPS研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年
2 邓金祥;王瑶;张晓康;周涛;汪旭阳;姚倩;陈光华;;氮化硼薄膜的红外光谱研究[A];第十四届全国光散射学术会议论文摘要集[C];2007年
3 赵永年;邹广田;何志;李冬妹;朱品文;王学进;赵冰;;高品质立方氮化硼薄膜[A];第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1998年
4 张晓康;邓金祥;姚倩;汪旭洋;陈光华;贺德衍;;氮化硼薄膜退火诱导相变的红外光谱研究[A];第十五届全国分子光谱学术报告会论文集[C];2008年
5 安振连;刘晨霞;陈暄;郑飞虎;张冶文;;氟化反应气中的氧杂质对聚乙烯氟化表层电荷阻挡特性的影响[A];第十三届全国工程电介质学术会议论文集[C];2011年
6 郜志华;陈光华;李志中;邓金祥;丁毅;;MW-ECR CVD制备立方氮化硼薄膜[A];2006年全国功能材料学术年会专辑[C];2006年
7 王波;赵永年;何志;朱品文;邹广田;;c-BN薄膜在WC上的制备[A];第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1998年
8 谭俊;张平;蔡志海;王晓晴;唐云;;离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究[A];'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2001年
9 谭俊;蔡志海;张平;;高速钢基体离子注硼对c-BN薄膜生长的影响[A];2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2004年
10 蔡志海;谭俊;张平;唐云;;硅基体离子注入氮、硼对c-BN膜制备的影响研究[A];第五届全国表面工程学术会议论文集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 邓金祥;立方氮化硼薄膜的射频溅射制备和掺杂研究[D];北京工业大学;2001年
2 任策;立方氮化硼晶体电流—电压特性及变色现象的研究[D];吉林大学;2009年
3 何斌;宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究[D];北京工业大学;2008年
4 张晓康;立方氮化硼薄膜的相变和光、电性能研究[D];兰州大学;2009年
5 杨旭昕;石墨衬底上氮化硼膜的制备与其性质研究[D];吉林大学;2010年
6 苏作鹏;高温高压下利用化学方法合成立方氮化硼[D];吉林大学;2006年
7 冀婷;硅、锗衬底上稀土金属氧化物薄膜的分子束外延生长、结构及其物理特性[D];复旦大学;2011年
8 岳红云;柔性衬底薄膜光伏电池相关材料制备及性能[D];大连理工大学;2011年
9 于晓明;利用表面改型Si衬底制备氧化物薄膜及生长机制研究[D];东北大学;2009年
10 杨善迎;ZnO基稀磁半导体薄膜材料的PLD制备及其性质研究[D];山东师范大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 邱发敏;立方氮化硼薄膜中氧杂质的研究[D];浙江大学;2011年
2 郭清秀;磁控溅射法制备立方氮化硼薄膜及原位掺硫研究[D];北京工业大学;2011年
3 崔贲涛;立方氮化硼薄膜的汽相成核与生长研究[D];北京工业大学;2000年
4 刘钧锴;高质量立方氮化硼薄膜的制备和光电特性研究[D];北京工业大学;2006年
5 陈浩;立方氮化硼薄膜的制备和电学性质研究[D];北京工业大学;2006年
6 李茂登;立方氮化硼薄膜的射频溅射制备和半导体特性研究[D];北京工业大学;2002年
7 张灿云;常温下脉冲激光沉积立方氮化硼薄膜和金刚石的纳米成核热力学研究[D];湘潭大学;2003年
8 赵春红;磁增强弧光等离子体CVD法沉积c-BN薄膜及其场发射特性[D];吉林大学;2005年
9 张健英;立方氮化硼薄膜中压应力与红外吸收的关系[D];浙江大学;2008年
10 韩睿琦;适用于高频SAW器件的h-BN/diamond多层膜结构薄膜的制备与研究[D];天津理工大学;2009年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 记者 郭姜宁;阎鹏勋教授获多项国际先进成果[N];科技日报;2001年
2 赵瑞;阎鹏勋教授获多项国际先进成果[N];光明日报;2002年
3 ;技术填补国内空白[N];西安日报;2009年
4 陶敦普;1年:从一千万到一亿[N];东莞日报;2011年
5 记者 潘静;尽快开工建设 早见成效[N];蚌埠日报;2009年
6 周超 杜兆晶;宾县14个项目列入省市重点[N];哈尔滨日报;2010年
7 ;异彩纷呈世足赛火花[N];中国旅游报;2002年
8 王兴;磁州窑的镜盒[N];中国文化报;2002年
9 郭建国;世界杯火花异彩纷呈[N];中国艺术报;2002年
10 丁乡;布商,可打打汽车主意[N];信息时报;2000年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978