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《福州大学》 2003年
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利用磁控溅射仪制作平面薄膜型H_2S硅微传感器

赖云锋  
【摘要】: 通过交流和直流反应溅射,我们以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H_2S气敏元件。实验表明,纳米WO_3和纳米SnO_2对H_2S都具有敏感。但是,在元件的灵敏度和响应/恢复时间上,SnO_2元件比WO_3元件优越。在一个相对较长的时期内,两种元件的稳定性都较差,其灵敏度随着环境温度和湿度的变化而变化。在后续的研究中,我们应该对环境温度和相对湿度的影响多加研究。提出了灵敏度随时间变化的方程。从元件的性能测试中可以看出,元件的特性和敏感材料的厚度、溅射功率、溅射时间以及溅射气压有关系。但是,在以上谈到的四个因素中,敏感材料的厚度对元件的特性起着决定性的作用,有一个相对理想的厚度范围200-400(?)。通过X射线衍射仪和透射电子显微镜进行材料的微观分析,WO_3的平均粒径大小为17.51纳米,SnO_2的平均粒径大小为8.56纳米。透射电镜相片表明了WO_3和SnO_2在形貌上的差别。在解释敏感机理的时候,我们引入了表面电导模型来解释并且搞清楚了SnO_2元件有较好选择性的原因是加热电压的选择以及基片上的铂电极起了催化剂的作用。
【学位授予单位】:福州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2003
【分类号】:TP212

【引证文献】
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【参考文献】
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【同被引文献】
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10 乔保卫;磁控反应溅射AIN薄膜的制备工艺与性能研究[D];西北工业大学;2003年
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