期刊库|学位论文库|会议论文库|飞度BOOK|站内搜索注册|充值中心|购买知网卡|送卡上门|帮助中心|
全文文献: “飞度BOOK”首届期刊庙会开幕啦!
做个飞度客,万千杂志,想看就看!
《景德镇陶瓷学院》 2007年
加入收藏 获取最新

偏铌酸铅高居里温度压电陶瓷的改性研究

张玉平  
【摘要】: 本文采用传统电子陶瓷方法制备了偏铌酸铅(PbNb_2O_6,简称PN)基高居里温度压电陶瓷,系统研究了材料的制备工艺与结构、压电性能的关系,分析了PN基陶瓷的组成、结构与压电性能之间的联系,并结合实验结果探讨了PN基陶瓷的铁电性对压电性能的影响。 研究了PN基陶瓷的合成温度、烧成温度、冷却方式对样品晶体结构与压电性能的影响。结果表明:合适的合成温度为850~900℃,保温2h,陶瓷的烧结温度在1245~1255℃,保温2h,通过掺杂使PN基压电陶瓷在自然冷却的条件下形成具有铁电性的斜方钨青铜结构。研究了极化工艺条件对PN基陶瓷压电性能的影响,发现极化电场强度和极化温度对陶瓷的压电性能有较大的影响,而极化时间的影响相对较小。适宜的极化电场是4.5 kV/mm,极化温度为160~170℃,极化时间为15 min。 研究了0.3 wt%MnO_2-(Pb_(1-x)Ba_x)Nb_2O_6体系(简称PBMN)陶瓷的结构、压电及其介电性能。XRD分析表明,经过烧结,PBMN体系由合成时的三方非铁电相转变为斜方铁电相。陶瓷材料的居里温度测试结果表明该体系具有较高的居里温度T_c(490~550℃),其压电性能随着Ba~(2+)掺入量的增加明显提高,当x=0.05 mol时,陶瓷的压电常数d_(33)达到最大值,为70 pC/N,居里温度T_c为510℃,介电常数ε_(33) ~T/ε_0=326,介质损耗tanδ为1%。 研究了(1-2y)PbNb_2O_6-ySrTiO_3-yTiO_2体系(简称PST)陶瓷的结构、压电、介电及其铁电性能。测定了该体系陶瓷材料在1、10、100 kHz下的介电常数-温度曲线,发现该体系陶瓷是一类弛豫型铁电体材料,并具有较高的居里温度T_c(500~560℃)。同时,Sr~(2+)和Ti~(4+)的掺杂降低了PN陶瓷的剩余极化强度P_r和矫顽电场E_c,当y=0.02时具有较高的剩余极化强度P_r和较低的矫顽电场E_c,相应的材料的压电、介电性能最好,压电常数和机电耦合系数达到最大值,分别为d_(33)=83 pC/N,k_t=34.9%;机械品质因数和介质损耗达到最小值,分别为Q_m=12,tanδ=1.5%,并具有较高的居里温度T_c=550℃。
【关键词】:偏铌酸铅 钨青铜结构 掺杂 高居里温度
【学位授予单位】:景德镇陶瓷学院
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2007
【分类号】:TQ174.75
【DOI】:CNKI:CDMD:2.2007.214020
【目录】:
  • 摘要3-4
  • Abstract4-8
  • 1 引言8-10
  • 2 文献综述10-25
  • 2.1 压电材料和铁电材料概述10-14
  • 2.1.1 压电材料及其分类10-11
  • 2.1.2 铁电材料及其特点11-14
  • 2.2 高居里温度压电陶瓷材料的研究现状14-23
  • 2.2.1 高居里压电材料的种类及其特点14-19
  • 2.2.2 钨青铜型晶体材料的分子设计19-21
  • 2.2.3 偏铌酸铅基压电陶瓷的研究现状及进展21-23
  • 2.3 本研究的总体思路、研究内容及其意义23-25
  • 3 实验25-31
  • 3.1 陶瓷样品的制备工艺过程25-26
  • 3.1.1 主要原料25
  • 3.1.2 配方组成25-26
  • 3.1.3 实验仪器与设备26
  • 3.1.4 陶瓷样品的制备工艺流程26
  • 3.2 陶瓷样品的结构及其性能表征方法26-31
  • 3.2.1 热分析26-28
  • 3.2.2 XRD物相结构分析28
  • 3.2.3 陶瓷样品的线收缩率和体积密度测试28
  • 3.2.4 陶瓷样品的介电性能和居里温度的测试28-29
  • 3.2.5 陶瓷样品的压电性能测试29
  • 3.2.6 陶瓷样品的铁电性能测试29-31
  • 4 PN基高居里温度压电陶瓷的制备工艺研究31-41
  • 4.1 制备工艺条件对材料结构与性能的影响31-37
  • 4.1.1 合成温度对晶体结构及压电性能的影响31-34
  • 4.1.2 烧成工艺对压电性能的影响34-37
  • 4.2 陶瓷的极化工艺对材料压电性能的影响37-39
  • 4.2.1 极化电场对压电性能的影响37-38
  • 4.2.2 极化时间对压电性能的影响38
  • 4.2.3 极化温度对压电性能的影响38-39
  • 4.3 本章小结39-41
  • 5 0.3wt%MnO_2-(Pb_(1-x)Ba_x)Nb_2O_6体系高居里温度压电陶瓷的组成、结构与电性能研究41-47
  • 5.1 引言41
  • 5.2 PBMN陶瓷的组成与晶体结构研究41-42
  • 5.3 PBMN陶瓷的介电性能42-45
  • 5.3.1 PBMN陶瓷的介电性能42-44
  • 5.3.2 PBMN体系陶瓷的居里温度44-45
  • 5.4 PBMN陶瓷的压电性能45-46
  • 5.5 本章小结46-47
  • 6 (1-2y)PbNb_2O_6-ySrTiO_3-yTiO_2体系高居里温度压电陶瓷的组成、结构与电性能研究47-59
  • 6.1 引言47
  • 6.2 PST体系陶瓷的组成与晶体结构研究47-48
  • 6.3 PST体系陶瓷的体积密度48-49
  • 6.4 PST体系陶瓷的介电性能49-53
  • 6.4.1 PST体系陶瓷的介电弛豫49-53
  • 6.4.2 PST体系陶瓷的居里温度53
  • 6.5 PST陶瓷的压电性能53-56
  • 6.6 PST体系陶瓷的铁电性能56-58
  • 6.6.1 组成对PST体系陶瓷铁电性能的影响56-57
  • 6.6.2 PST体系陶瓷的铁电与压电性能的相关性57-58
  • 6.7 本章小结58-59
  • 7 结论59-60
  • 致谢60-61
  • 参考文献61-67
  • 攻读硕士学位期间发表的论文67
全文下载: CAJ格式
不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载
CAJViewer7.0阅读器支持所有CNKI文件格式,AdobeReader仅支持PDF格式

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 陈强,肖定全,吴家刚,方瑜,王媛玉,袁小武,于光龙,熊学斌,朱建国;Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究[J];功能材料;2004年04期
2 徐霞,李晓云,郭守铭,陆佩文,薛万荣;偏铌酸铅压电陶瓷材料老化问题的探讨[J];江西科学;2000年04期
3 张高科,欧阳世翕,吴金东,吴伯麟;掺杂对一些钨青铜铌酸盐晶体结构及性能影响[J];武汉理工大学学报;2002年02期
4 王守德,刘福田,芦令超,常钧,程新;高居里点压电陶瓷材料研究进展[J];山东陶瓷;2004年04期
5 董敦灼,陈旭明;高居里点压电陶瓷材料[J];电子元件与材料;1988年05期
6 蔡晓峰,邱海波;高介电常数压电陶瓷材料研究[J];硅酸盐通报;1999年03期
7 徐钦华,陈林丽,周湖云,雷新荣,陆琦;钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展[J];材料导报;2003年01期
8 方亮,张辉,吴伯麟,袁润章;铌酸盐Ba_3NaBiNb_(10)O_(30)的结构与介电特性[J];物理化学学报;2001年05期
9 韩晓东,江涛,陈亿裕;Nb取代对Ba_3Nd_3Ti_(10-n)Nb_nO_(27.5+n/2)瓷介电性能和结构的影响[J];电子元件与材料;2002年03期
10 周静,赵然,陈文;PbNb_2O_6基压电陶瓷的高温介电性能研究[J];陶瓷学报;2005年03期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 郭玉香,曲殿利,张芸,葛诗文;合成温度和原料粒度对钛酸铝性能的影响[J];鞍山科技大学学报;2004年02期
2 刘彤,刘文珽;烧结温度对高韧性Al_2O_3陶瓷断裂韧性的影响[J];北京航空航天大学学报;2001年06期
3 韩宝国,关新春,欧进萍;碳纤维水泥石电阻测试方法研究[J];玻璃钢/复合材料;2003年06期
4 吴勉学,诸培南;铁电微晶玻璃的可极化度问题[J];玻璃与搪瓷;1986年06期
5 匡敬忠,邱廷省,张格;尾矿微晶玻璃制备新工艺研究[J];玻璃与搪瓷;2005年03期
6 胡一晨;陆洪凯;王中俭;沈华静;;二价金属氧化物对低介低损玻璃工艺性能及电学性能的影响[J];玻璃与搪瓷;2006年01期
7 刘浩,袁坚;MgO-Al_2O_3SiO_2系统微晶玻璃晶化行为及性能研究[J];山东陶瓷;2005年02期
8 黄良钊;含钇氧化铝陶瓷的制备及性能研究[J];长春光学精密机械学院学报;1999年01期
9 李军,刘梅冬,曾亦可,李楚容,郭明金,林昭昭;热释电红外自动测温系统研究[J];传感器世界;2001年02期
10 张高科,吴伯麟,欧阳世翕;钨青铜结构铌酸盐晶体的分子设计及其掺杂[J];材料导报;1997年03期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 高桂波;钱春香;朱晨峰;王辉;丁士卫;;粉煤灰对混凝土热膨胀系数的影响[A];第五届混凝土结构耐久性科技论坛论文集[C];2006年
2 王金锋;;熔体析晶温度制度探讨[A];华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集[C];2005年
3 李月明;程亮;顾幸勇;张玉平;廖润华;;高居里温度压电材料的研究进展[A];中国硅酸盐学会陶瓷分会2006学术年会论文专辑(上)[C];2006年
4 石丽芬;汤李缨;程金树;;KOH对离子交换硼硅酸盐玻璃性能的影响[A];2007中国浮法玻璃及玻璃新技术发展研讨会论文集[C];2007年
5 庄梓豪;余其俊;韦江雄;;矿物掺合料对干粉砂浆性能的影响及配比的优化[A];第二届全国商品砂浆学术交流会论文集[C];2007年
6 初瑞清;徐志军;;Mn掺杂改性高温无铅压电陶瓷CaBi_4Ti_4O_(15)的研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)[C];2007年
7 张志萍;刘红飞;程晓农;;近零膨胀ZrO_2-ZrW_2O_8复合材料的制备和表征[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(8)[C];2007年
8 邱树恒;何欠;牛存涛;崔学民;;一种低软化温度无机胶粘剂的制备研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年
9 李凤华;王珏;陈姗姗;霍自美;樊占国;;高熔点Ag基金属材料的制备[A];2006年全国冶金物理化学学术会议论文集[C];2006年
10 胡坤;杨晔;李勇;郑康;方前锋;崔平;;纳米复合低熔点玻璃绝缘体系的性能研究[A];国际材料科学与工程学术研讨会论文集(上册)[C];2005年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 丁立健;真空中绝缘子沿面预闪络和闪络现象的研究[D];华北电力大学;2001年
2 张国范;铝土矿浮选脱硅基础理论及工艺研究[D];中南大学;2001年
3 杨兴;磁场与位移感知型超磁致伸缩微位移执行器及其相关技术研究[D];大连理工大学;2002年
4 范吉军;电流变液微波穿透可调控行为特征[D];西北工业大学;2002年
5 侯育冬;高性能压电变压器用多元系陶瓷的制备和性能研究[D];西北工业大学;2002年
6 崔斌;铅系弛豫铁电陶瓷的制备和介电性能的研究[D];西北工业大学;2002年
7 陈二丁;可渗透性微细水泥体系防砂技术研究[D];西南石油学院;2002年
8 李晓雷;La_2NiO_4系类钙钛矿薄膜的溶胶-凝胶法制备及氧敏特性的研究[D];天津大学;2003年
9 王艳辉;金刚石磨料表面镀钛层的制备、结构、性能及应用[D];燕山大学;2003年
10 汤云晖;电气石的表面吸附与电极反应研究[D];中国地质大学(北京);2003年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 孙福来;溶胶—凝胶法制备ZnO掺杂导电薄膜的研究[D];昆明理工大学;2008年
2 王三德;纳米银溶胶中热弹光声信号的特性及液体中光穿透效应时声波的影响[D];陕西师范大学;2000年
3 周慎平;用不同配比度的预烧粉末和陶瓷靶在Ag、Au、Pt底电极上溅射制取PZT铁电薄膜的研究[D];暨南大学;2000年
4 王焕新;Ti镀层对金刚石力学性能的影响[D];燕山大学;2001年
5 朱卫东;溶胶—凝胶法制备Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜及其性能研究[D];苏州大学;2001年
6 范勇;压电致动式微泵的驱动装置结构分析与设计[D];西安电子科技大学;2001年
7 杨俊刚;电流变颗粒相介电性能测试方法与微型高压电源制作[D];西北工业大学;2001年
8 尹剑波;稀土掺杂对二氧化钛和钛酸钡电流变行为的影响[D];西北工业大学;2001年
9 杨芝茵;残余应力对压电薄膜材料性能的影响[D];湘潭大学;2001年
10 张新玉;高浓度SiC浆料的制备[D];重庆大学;2001年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 季振国,刘坤,向因,宋永梁,叶志镇;利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征[J];半导体学报;2004年07期
2 张高科,吴伯麟,欧阳世翕;钨青铜结构铌酸盐晶体的分子设计及其掺杂[J];材料导报;1997年03期
3 李曹,刘孝波;聚合物/无机复合材料在介电材料领域的应用[J];材料导报;2003年08期
4 董敦灼,陈旭明;高居里点压电陶瓷材料[J];电子元件与材料;1988年05期
5 江涛,郭育源,江丽君;CSBT-BNT-NT系高介瓷料α_ε系列化的研究[J];电子元件与材料;2000年03期
6 李承恩,李毅,周家光;铋层状结构压电陶瓷及敏感元件高温特性研究[J];电子元件与材料;2002年05期
7 陈强,肖定全,吴家刚,方瑜,王媛玉,袁小武,于光龙,熊学斌,朱建国;Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究[J];功能材料;2004年04期
8 孟宪林,邵宗书,孙友轩,祝琍,王瑞华;掺镁铌酸锂单晶研究[J];硅酸盐学报;1993年01期
9 张一兵,翁文剑,杜丕一,沈鸽,韩高荣,叶志镇;溶胶-凝胶法制备LiNbO_3薄膜的研究[J];硅酸盐学报;2002年02期
10 梁家惠,周彬;高温耐辐照声发射传感器[J];航空学报;1992年10期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 陈焕矗,许煜寰;钨青铜型结构铁电体(K_(1-x)Na_x)_(0.4)(Sr_(1-y)Ba_y)_(0.8)Nb_2O_6系列的单晶生长及铁电畴观察[J];硅酸盐学报;1982年04期
2 郭常霖,陆昌伟;铌酸铅钠X射线衍射数据的测定[J];硅酸盐学报;1983年02期
3 王超群;;钨冶金中氧化物相的X射线衍射谱特征[J];物理测试;1984年05期
4 钟维烈,张沛霖,陈焕矗,陈福生,宋永远;改性铌酸锶钡钠晶体的弥散性铁电相变[J];硅酸盐学报;1985年03期
5 陈焕矗;陈福生;宋永远;钟维烈;张沛霖;;阳离子的电荷和半径对充满型钨青铜结构铌酸盐单晶生长和某些性质的影响[J];山东大学学报(理学版);1986年S1期
6 张磊,秦自楷,张沛霖,钟维烈,陈焕矗,陈福生,宋永远;Cd_xSBN晶体的介电、铁电及热释电性[J];无机材料学报;1988年02期
7 虞孝栋;改性偏铌酸铅的压电性测量方法研究[J];无机材料学报;1989年02期
8 肖定全;;新型介电功能材料进展[J];功能材料;1990年04期
9 宋永远;姜全忠;孙大亮;陈焕矗;;铌酸钡铅晶体的生长和光折变性质[J];山东大学学报(理学版);1991年03期
10 王德普;;高温压电陶瓷[J];试验技术与试验机;1991年03期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 易晓星;潘潮;;改性偏铌酸铅研究[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
2 李国宝;王旻;尤力平;廖复辉;田曙坚;林建华;;BaTa_2O_6-Ta_2O_5的相关系和相关物相的结构[A];第十二届全国相图学术会议论文集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 仪修杰;非铅铁电压电单晶材料的制备与性能研究[D];山东大学;2005年
2 张辉;系列类钙钛矿化合物的组成、结构与介电性能关系的研究[D];武汉理工大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 邹龙;Ba_5Li_xTi_xNb_(10-x)O_(30)多元体系的毫米波合成及其机理研究[D];武汉理工大学;2003年
2 鄢俊兵;Ba_(6-x)Ln_xTi_(2+x)Ta_(8-x)O_(30)(x=1,2;Ln=La,Sm,Y,Nd)系陶瓷的制备、结构与介电性能研究[D];武汉理工大学;2003年
3 杨俊峰;Ba_5LnZnM_9O_(30)(Ln=Nd,La,Sm,Y;M=Nb,Ta)陶瓷的制备、结构与介电特性[D];武汉理工大学;2003年
4 孟范成;Sr_5LnTi_3Ta_7O_(30)(Ln=La,Nd,Sm,Y)陶瓷的制备、结构与介电特性[D];武汉理工大学;2003年
5 孙玉红;BaO-La_2O_3-TiO_2-Ta_2O_5和SrO-Sm_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5钨青铜型介电陶瓷新体系[D];浙江大学;2004年
6 黄涛华;Ba_5LnNiM_9O_(30)(Ln=La,Nd,Sm;M=Nb,Ta)陶瓷的制备、结构与介电特性[D];武汉理工大学;2004年
7 陈亮;Ba_5LnSn_3Nb_7O_(30)与(Ba,Sr)_8Ti_3Nb_4O_(24)陶瓷的制备、结构与介电特性[D];武汉理工大学;2005年
8 宋化龙;新型钨青铜型晶体CSBN的生长及其性能研究[D];山东大学;2005年
9 袁媛;M_6Ti_2Ta_8O_(30)与M_6Ti_2Nb_8O_(30)陶瓷(M=Ba、Sr、Ca)的介电性能与铁电相变[D];浙江大学;2006年
10 丁剑;CAS玻璃/SBN陶瓷的结构与介电性能研究[D];福州大学;2006年
关于知网|版权声明|学术会议服务|广告服务|在线咨询
京ICP证040431号互联网出版许可证新出网证(京)字008号北京市公安局海淀分局备案号:110 1081725
订购咨询热线:800-810-6613、010-62985026免费送卡上门
主办:清华大学
数字出版:中国学术期刊电子杂志社
在线发行:同方知网(北京)技术有限公司
关 闭
关 闭
关 闭