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《山东大学》 2011年
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MO_4~(2-)(M=Cr,Mo,W)阴离子对KDP晶体生长和光学性能的影响及KDP晶体高温热行为的研究

丁建旭  
【摘要】:KDP晶体具有优良的压电、电光和频率转换功能。在早期,KDP晶体作为压电转换器,声纳器件得以应用广泛。随着高功率激光系统在受控热核反应等重大技术上的应用,人们对KDP晶体的研究及使用进入了一个新的阶段。目前,获得KDP晶体的主要途径是通过水溶液法生长。从水溶液中生长KDP晶体时,杂质对KDP晶体的生长及光学性质有非常重大的影响。目前,国内外在围绕着杂质对KDP晶体影响的研究中,关于阴离子杂质对KDP晶体的生长及光学性质的研究较少。故此,本文主要选择了与PO43-具有相似结构的CrO42-,MoO42-和WO42-阴离子,通过掺杂的方式,研究了它们对KDP晶体生长习性及光学性质的影响;并结合KDP晶体在应用中遇到的高温相变问题进行了一些探讨研究。本论文的主要内容如下: 1.采用激光偏振干涉法实时测量了KDP晶体(100)面的生长速度与过饱和度之间的关系;采用原子力显微技术(AFM)观察了KDP晶体(100)面和(101)面在不同过饱和度下的生长台阶的形貌;并根据(100)面和(101)面基本生长台阶的特点,采用Material Studio软件的Dmol3模块对KDP晶体(100)和(101)面进行半晶胞高度表面弛豫研究。实验结果表明:当过饱和度为1.8%时,(100)而上以基本台阶为主,基本台阶的高度为0.366nm,约为[100]方向半晶胞高度;增大过饱和度,基本台阶开始聚并;聚并初期,台阶高度增加,进而台阶宽度增加;随着过饱和度的增大,台阶聚并加剧,推移速度加快,但聚并台阶的斜率基本不变。(101)面在低过饱和度时存在很多二维核,二维核顶部非常平坦,围绕着二维核,衍生出很多生长台阶,生长台阶的尺寸较小,台阶的形状与其对应的二维核形状相似,台阶高度约为0.47-0.53nm,为[101]方向上半晶胞高度;在稍高的过饱和度下,(101)面上存在大量的生长台阶,生长台阶的高度基本为0.51nm,为基本生长台阶,基本台阶未发生台阶聚并。KDP晶体(100)和(101)面表面弛豫的理论计算研究发现:弛豫表面层内的PO43-四而体内的各P-O键长发生了不同程度变化;且O-H-O键中,H原子位置发生移动,使其中一个O-H键变短,另外一个O-H键变长。弛豫表面层的电子结构发生变化:(100)和(101)面禁带宽度变窄,其主要是因为各原子的p和s轨道所致。 2.采用传统生长法和快速生长法生长了一系列CrO42-,MoO42-和WO42-阴离了不同掺杂浓度的KDP晶体。晶体的生长习性表明:CrO42-掺杂未导致晶体发生楔化或扩展,晶体生长过程中未出现杂晶;且随着掺杂浓度的增加,KDP晶体逐渐呈现黄绿色。MoO42-使传统法生长的KDP晶体(100)面发生楔化;快速法生长时,高掺杂浓度的MoO42-能够使(100)面的生长完全停止,晶体内产生定向排列的母液包藏。WO42-在较低的掺杂浓度下就使传统法生长的KDP晶体发生楔化;高掺杂浓度时,晶体柱面生长区内产生母液包藏。通过研究掺杂离子对KDP晶体(100)面生长动力学的影响发现:CrO42-对KDP晶体生长速度和生长死区的影响很小,对(100)面上生长台阶的影响也不明显;MoO42-能够延缓基本生长台阶的聚并,并降低生长台阶的棱边自由能,进而阻碍了台阶的推移,降低了生长速度和扩展了生长死区;WO42-对KDP晶体的生长习性影响最显著,W042-不仅阻碍了台阶的聚并和推移,而且也降低了生长速度,并扩展了生长死区;同时可以使生长台阶扭折化并产生与源台阶相垂直的另一系列生长台阶,当两列台阶同时发生楔化后,(100)面发生扭曲,并最终导致高指数晶面(512)晶面的出现。通过实验和理论分析,我们发现:CrO42-在KDP饱和生长溶液中的主要构型为Cr2O72-和HCrO4-,Cr2O72-和HCrO4-能够通过K-O键和O-H键的静电吸附作用分别被(101)和(100)面所吸附;由于HCrO4-和Cr2O72-的离子体积与生长基元PO43-,H2PO4-及P2O74-的离子体积较为接近,因而吸附到(101)和(100)面的Cr2072-和HCrO4-对KDP晶体的生长习性和生长动力学影响很小;这也表现在掺杂Cr042-生长的KDP晶体与掺杂Cr2O72-生长的KDP晶体的生长习性基本一致。M0042-在KDP饱和生长溶液中的主要构型为HMoO4-和H2MoO4,HMoO4-和H2MoO4的O-H端,能够通过电荷辅助氢键(charge-assisted hydrogen bonds)被(100)面吸附,被吸附的HMoO4-和H2MoO4由于具有较大的离子体积,因而能抑制KDP晶体(100)面的生长。WO42-在KDP饱和生长溶液中的主要构型以H2W12O4210-和H2W12O406-为主,其聚合程度高于CrO42-和MoO42-,它们可以通过O-H端的静电作用被(100)面所吸附;其较大的离子体积能使(100)而的生长基本停止。通过比较三种掺杂离子对KDP晶体生长的影响程度发现:CrO42-、MoO42-和WO42-在KDP饱和生长溶液内均可以形成具有不同聚合度的、且含氢键的阴离子基团。阴离子基团通过静电吸附或辅助氢键倾向于与(100)面相互作用而进入晶格内,并不同程度地抑制了KDP晶体的生长。Cr042-、MoO42-和WO42-的离子体积依次增大,对KDP晶体(100)面生长的阻碍效应也依次明显:与PO43-离子体积最接近的CrO42-对KDP晶体的生长习性和生长动力学影响最不显著;与PO43-离子体积相差最大的WO42-对KDP晶体的生长习性和生长动力学影响最大。生长的KDP晶体的颜色和元素分析说明少量的掺杂离子能进入晶格,三种掺杂离子的元素的含量随着掺杂浓度的增加而增加;更容易通过表面吸附进入KDP晶体的柱面生长区。 3.采用高分辨X射线衍射(摇摆曲线)研究了CrO42-,MoO42-和WO42-阴离子掺杂生长的KDP晶体的结构完整性,并测试了掺杂生长的KDP晶体的静态消光比、透过光谱、锥光干涉、散射颗粒和激光损伤阈值等光学性能。实验发现:CrO42-,MoO42-和WO42-掺杂后,均可以导致KDP晶体摇摆曲线半峰宽变宽,衍射强度有不同程度的降低,说明CrO42-,MoO42-和WO42掺杂使KDP晶体的结构完整性遭到破坏;CrO42-掺杂快速生长的KDP晶体的摇摆曲线还出现了衍射峰分裂现象。静态消光比的研究结果表明:CrO42-,MoO42和WO42-掺杂均可以导致KDP晶体的消光比有所降低,消光比的降低意味着晶体内结构残余应力增加。我们认为其影响原因有所区别:CrO42-主要通过CrO42-或HCrO4-进入晶格内,其结构与PO43-有所区别,因而能够产生结构残余应力;MoO42-主要通过进入晶格内和影响生长台阶的形貌两种方式使晶体产生较多的介观缺陷,导致残余应力的增加;而WO42-则主要通过改变生长界面上生长台阶的形态,从而导致更多介观缺陷的产生,进而导致残余应力增大。透过光谱的研究结果显示:CrO42-掺杂后,KDP晶体的透过光谱中在220,280和360nm附近出现较强的吸收,验证了KDP晶体内存在CrO42-或HCrO4-。MoO42-提高了柱面生长区在200-400nm范围内的透过率,但却使KDP晶体锥而生长区在紫外波段的透过率有所降低。这是因为MoO42-容易被晶体的(100)面所吸附,从而阻碍了金属阳离子与(100)面相互作用,降低了金属阳离子进入KDP晶体柱面生长区的几率,因而可以提高柱面生长区的透过率。WO42-使KDP晶体锥面生长区在紫外波段的透过率降低,对柱而生长区的透过率影响较小。对KDP晶体光学均匀性的研究发现:低掺杂量的CrO42-对KDP晶体的光学均匀性影响很小,而高掺杂量时光学均匀性有所降低。MoO42-能严重破坏KDP晶体的光学均匀性。而WO42-对KDP晶体的光学均匀性影响不大。CrO42-,MoO42-和WO42-掺杂后均导致KDP晶体中散射颗粒的密度和散射颗粒平均尺寸均随着掺杂浓度的增加而增大。而三种离子掺杂对激光损伤闽值的影响不尽相同:KDP晶体的激光损伤阈值随着CrO42-掺杂浓度的增加而增大;MoO42-和WO42-掺杂传统法和快速法生长的KDP晶体损伤阈值都呈现先增大而后减小的趋势。 4.采用热重-差热、比热和原位红外反射光谱等热分析手段研究了四方相KDP晶体室温至260℃之间的热行为。实验发现:KDP晶体在183℃附近并未发生四方相到单斜相的相变,或发生脱水反应;且晶体于207-210℃左右开始分解,整个分解过程分为三个阶段。第一个分解阶段出现P2O72-基团的吸收峰,意味着第一阶段的分解朝着K4P2O7的方向进行;第二阶段是第一阶段产生的中间态产物继续分解的过程;第三个分解阶段为前两个过程的继续分解,最终KDP完全分解为KPO3。通过Kissinger法,从理论上分析计算了KDP在260℃前两个明显的分解过程的动力学参数,其热脱水活化能分别为101.7Jmo1-1和112.4Jmo1-1。我们采用原位红外反射光谱以“准静态”的升温方式,研究了压力对四方相KDP晶体的热稳定性和分解的影响,发现压力为1MPa时,四方相KDP晶体的开始分解温度从210℃提高到213℃,晶体的热分解稳定性得到提高;压力为2MPa时,KDP晶体于183。C时开始分解,说明晶体的热分解稳定性遭到破坏。另外,加压后,KDP晶体的分解过程更简单,分解过程越过K4P2O7等含焦磷酸根的中间态产物,而直接转化为KPO3。
【学位授予单位】:山东大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2011
【分类号】:O782

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 张建芹,王圣来,房昌水,孙洵,顾庆天,李毅平,王坤鹏,王波,李云南,刘冰;硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响[J];功能材料;2005年10期
2 苏根博,曾金波,贺友平,李征东,黄炳荣,江日洪;大截面KDP晶体在激光核聚变研究中的应用[J];硅酸盐学报;1997年06期
3 仲维卓,于锡铃,罗豪,程振翔,华素坤;KDP晶体生长基元与形成机理[J];中国科学E辑:技术科学;1998年04期
4 牟晓明;王圣来;许心光;程秀凤;孙绍涛;丁建旭;;Optical Properties and Structural Perfection of Chicago Sky Blue 6B-doped KDP Crystals[J];结构化学;2010年01期
5 仲维卓,华素坤,唐鼎元,赵庆兰;晶体生长基元与晶体结晶习性[J];结构化学;1995年Z1期
6 孙洵,许心光,高樟寿,傅有君,王圣来,李毅平,曾红;焦磷酸对KDP晶体光散射的影响[J];科学通报;2000年18期
7 颜明山,吴德祥,曾金波,张秀珠,官月英,王丽青;大截面KDP类型晶体的生长[J];人工晶体;1986年01期
8 仲维卓,郑燕青,施尔畏,华素坤;晶体生长溶液、熔体结构与生长基元[J];人工晶体学报;2002年05期
9 仲维卓,罗豪甦,华素坤,许桂生;晶体表面结构和负离子配位多面体生长基元(英文)[J];人工晶体学报;2004年04期
10 王耀水,朱锐,叶桂芬,刘向阳,洪远珍,蔡诗武,Bennema,P.,VanEnckvort,W.J.P.,VanKessel,J.W.M.,Dam,B;KDP晶体缺陷形成机理的研究[J];无机材料学报;1989年02期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 王志强,曹明礼,龚安华,苏青青;相变储热材料的种类、应用及展望[J];安徽化工;2005年02期
2 张莉,褚道葆;酸度对偏钛酸水热法合成纳米TiO_2的影响[J];安徽师范大学学报(自然科学版);2002年01期
3 张琳丽,郭常新,陈建刚,胡俊涛;水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒[J];半导体学报;2005年11期
4 陈华雄;陈树森;金韶华;李丽洁;史彦山;向玉联;;六硝基六氮杂异伍兹烷转晶中的分子动力学模拟[J];火炸药学报;2007年05期
5 王洪祥;王景贺;孙涛;张龙江;;磷酸二氢钾晶体超精密加工存在的若干问题分析[J];兵工学报;2006年05期
6 王建;马卫兴;刘玮炜;许兴友;陆路德;杨绪杰;;流动电势法对L-谷氨酸水溶液结晶过程的表征[J];北京化工大学学报(自然科学版);2010年03期
7 郝保红;纪艳娇;刘东阳;;碱性环境下二维纳米AlOOH聚集体形态及“生长基元”运动[J];北京石油化工学院学报;2011年03期
8 张丽;助熔剂法合成尖晶石的宝石学特征研究[J];宝石和宝石学杂志;2004年02期
9 亓利剑,孙大亮,刘江霞,张昌龙;微尺度涡旋位错:宝石晶体又一重要的生长机制[J];宝石和宝石学杂志;2004年03期
10 张娟;薛秦芳;;云南哀牢山红宝石晶体及其表面微形貌研究[J];宝石和宝石学杂志;2006年01期
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1 牛振江;孙雅峰;叶青;李则林;杜小光;杨防祖;姚士冰;周绍民;;电流密度和添加剂条件对甲基磺酸体系锡镀层织构的影响[A];2004中国电子制造技术论坛——电子整机无铅化焊接技术学术研讨会论文集[C];2004年
2 牛振江;杜小光;孙雅峰;叶青;李则林;杨防祖;姚士冰;周绍民;;电流密度和添加剂条件对甲基磺酸体系锡镀层织构的影响[A];2004年全国电子电镀学术研讨会论文集[C];2004年
3 丁建旭;王圣来;牟哓明;;MoO_4~(2-)四面体对KDP晶体柱面生长的影响[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年
4 安红娜;杨祖念;肖定全;余萍;刘志强;黄昕;;电化学法制备钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长特性研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年
5 王建立;王庆伟;王锦;陈启元;;铝酸钠溶液晶种分解制备超细氢氧化铝结晶机理研究[A];2006年全国冶金物理化学学术会议论文集[C];2006年
6 朱哲渊;王丹;姚建曦;汪浩;;水热条件下钛酸钡粒子的自组装[A];2006年全国冶金物理化学学术会议论文集[C];2006年
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【二级参考文献】
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1 仲维卓,华素坤;负离子配位多面体生长基元与晶体的结晶习性[J];硅酸盐学报;1995年04期
2 仲维卓;华素坤;;晶体中正负配位多面体的结晶方位与晶体形貌[J];化学通报;1992年12期
3 于夕玲,刘有臣,岳学锋,孙毅,徐现刚;高-低温溶液晶体生长溶质边界层的全息研究[J];中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学);1994年12期
4 元如林,施尔畏,王步国,夏长泰,李文军,仲维卓;氧化锌晶粒生长基元与生长形态的形成机理[J];中国科学E辑:技术科学;1997年03期
5 唐鼎元;紫外非线性光学材料硼酸盐晶体生长的研究进展[J];结构化学;1995年Z1期
6 颜明山,吴德祥,曾金波,张秀珠,官月英,王丽青;大截面KDP类型晶体的生长[J];人工晶体;1986年01期
7 鲁智宽,高樟寿,李义平,王灿;溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体[J];人工晶体学报;1996年01期
8 施尔畏,元如林,夏长泰,王步国,仲维卓;水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究(Ⅱ)生长基元稳定能计算及晶粒的成核与生长[J];物理学报;1997年01期
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1 李斌,张希,白玉白,徐如人;磷脂酰胆碱LB单分子膜诱导下KDP晶体取向生长的研究[J];高等学校化学学报;2000年02期
2 王春波;;校园地理信息系统的设计与实现[J];矿山测量;2008年05期
3 孙洵,许心光,王正平,李毅平,高樟寿,房昌水;KDP晶体中散射的研究[J];无机材料学报;2002年01期
4 张厚安,梁洁萍,王德志,刘心宇;Mo粉和Si粉球磨过程的研究[J];湘潭矿业学院学报;1997年04期
5 王金淑,周美玲,张久兴,聂祚仁,左铁镛;Mo-La_2O_3阴极La_2O_3表面富集研究[J];稀有金属材料与工程;2000年05期
6 于锡玲,王燕,程振祥,张树君,孙大亮,尤静林,余昺鲲,蒋国昌;晶/液界面边界层结构的微区研究[J];中国科学E辑;2002年02期
7 卢贵武,夏海瑞,关继腾,张世奇,陈勇,周瑶琪;KDP晶格振动模和生长机制的拉曼光谱研究(英文)[J];光散射学报;2002年01期
8 刘长松,Kioussis Nicholas;KH_2PO_4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应[J];物理;2004年01期
9 马咸尧,陶曾毅;激光铬钼合金化的热疲劳性能研究[J];中国激光;1990年07期
10 梁烽,杨左军,李泳涛,廖文忠;ICP-AES法同时测定合金工具钢中的Cr、Mo、V[J];分析科学学报;2001年05期
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1 吕宝源;孙祥祯;;高纯金属有机化合物(MO源)质量分析[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2 周广刚;卢贵武;李英峰;吴冲;唐朝云;;阴离子二聚体在KDP界面吸附行为的分子动力学研究[A];第十六届全国光散射学术会议论文摘要集[C];2011年
3 曹立群;葛剑平;赵守亮;;光固化复合树脂在MO洞型中聚合收缩的动力学研究[A];全国第八次牙体牙髓病学学术会议论文汇编[C];2011年
4 田家敏;范景莲;成会朝;刘拼拼;;Y_2O_3对超细Mo粉形貌及其Mo合金烧结行为的影响[A];2009全国粉末冶金学术会议论文集[C];2009年
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8 屈粒;温耕;钟成;刘佳琪;宗静怡;邢曦雯;秦金贵;于贵;刘云圻;邹德春;;新型窄带隙n型三维半导体Mo(S_2C_2R)_3的研究[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
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10 王小发;樊仲维;余锦;石朝晖;黄科;黄玉涛;连富强;;长下降沿时间的KDP普克尔斯盒驱动电源对全固态腔倒空激光器输出特性的影响[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
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1 丁建旭;MO_4~(2-)(M=Cr,Mo,W)阴离子对KDP晶体生长和光学性能的影响及KDP晶体高温热行为的研究[D];山东大学;2011年
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4 郭少龙;基于潮解作用的KDP晶体抛光技术的研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
5 王碧玲;KDP晶体无磨料水溶解抛光方法与加工机理[D];大连理工大学;2010年
6 张治宏;Mo系Keggin型结构杂多酸盐的合成、表征及对染料废水的催化氧化特性[D];西安建筑科技大学;2011年
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10 朱艺涵;丙烷选择氧化制丙烯醛Mo(V)Te(Nb)O催化剂活性相的研究和设计[D];浙江大学;2010年
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1 张琦;基于MO的泰安市水环境管理信息系统的开发[D];山东农业大学;2012年
2 杜乐一;Mo含量对1RK91马氏体时效不锈钢组织与性能的影响[D];浙江大学;2012年
3 杨曦东;反向微乳液萃取分离稀溶液中Mo(Ⅵ)的研究[D];燕山大学;2010年
4 柯其锐;重频激光辐照KDP晶体损伤的有限元法研究[D];电子科技大学;2012年
5 尹晓雪;固体激光器阶梯掺杂晶体研究[D];西安电子科技大学;2010年
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