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《山东大学》 2005年
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Z[M(dmit)_2]_2型分子导体的能带结构研究

李洪津  
【摘要】:分子导体是具有导电性的分子晶体的简称。分子导体不同于传统的分子晶体、原子晶体、离子晶体及金属晶体,它的导电组元是分子(可以是中性小分子、分子自由基或阴阳离子),导电组元间存在很强的相互作用。分子导体能带结构中能隙较窄,甚至交迭,通常呈现半导体性、导体性,在一定条件下甚至超导性。 分子导体由于其优良的导电性能,近几十年来受到科学界的广泛关注和研究。配合物型分子导体是分子导体中的一个大家族,其中最具代表性的为Z[M(dmit)_2]_2(Z为阳离子或阳离子自由基,M为Ni、Pd等过渡金属离子,dmit=(C_3S_5)~(2-))型的分子导体。迄今为止,剑桥结构数据库(2003年11月版)已收录百余个此类分子导体,其中超导体8个。鉴于Z[M(dmit)_2]_2类分子导体的重要性,本文采用推广的休克尔分子轨道紧束缚法,计算了三个Z[M(dmit)_2]_2类分子导体的分子轨道交迭积分和能带结构,应用能带理论探讨分子导体的晶体结构对其导电性能的影响。具体内容如下: 1.概述晶体能带理论以及计算晶体能带的一种近似方法——EHMO紧束缚法。 2.阐述导电组元M(dmit)_2的结构特点及其堆积特点,计算不同堆积方式及分子层间距对分子HOMO轨道交迭积分的影响,找出了分子轨道交迭积分随分子位错的变化规律,如图1。 导电组元M(dmit)_2)沿长轴位错时,交迭积分震荡变化,当交迭积分绝对值在极值点时,分子位错正好是一个分子结构环与另一个分子结构环正面相对处,所
【学位授予单位】:山东大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2005
【分类号】:O738

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