收藏本站
《山东大学》 2008年
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长以及性能研究

曹强  
【摘要】: 目前作为现代信息技术基石的半导体微电子技术主要利用电子的电荷自由度去存储和处理信息,随着集成化程度的提高和器件尺寸的减小目前的电子产业会由于进入原子尺度而到达它发展的极限。因此现在希望通过利用电子的另一个内禀属性——自旋去处理信息,这样电子的电荷自由度和自旋自由度会被同时使用以产生运算速度更快、器件尺寸更小、几乎不发热、断电信息不消失的新一代多功能器件,这就是新兴的自旋电子学领域。自旋电子学的范畴很广,其中在材料方面,为实现自旋电子学的目标需要将自旋极化的电流注入半导体材料当中以实现信息的处理等功能,因此制备出具有超过室温居里温度铁磁性和高自旋极化度的稀磁半导体材料是非常关键的。 目前制备和研究稀磁半导体的主要方法是对半导体材料进行过渡族金属元素掺杂,例如在Mn掺杂GaAs中就取得了很大的进展,但是此类材料居里点偏低,应用价值不大。近来理论预言了基于ZnO的磁性半导体的居里温度在300 K以上并且有很高的磁矩。而且ZnO这种第三代半导体以其优异的物理、化学性能,在半导体发光材料、压电材料、透明导电膜等当今科学研究的热点领域有着广泛的研究和应用。可以预见磁性元素掺杂ZnO很有希望制备出集磁性、半导体、压电性质、光电性质于一身的多功能器件材料。因此ZnO基稀磁半导体的研究受到了极大的关注。但目前报道的众多实验工作中样品的磁性结果是让人困惑甚至是相互矛盾的,样品的性质非常依赖于制备条件和制备方式。这就带来了几个重要的物理问题需要解决,包括在ZnO基稀磁半导体中是否会有本征的高居里温度铁磁性;铁磁性的来源是什么;制备的ZnO基稀磁半导体怎样才能更好的满足实际应用的需要等等。 由于目前在报道发现高居里温度铁磁性的多晶或非晶样品中没有很好的办法去避免和排除铁磁性沉淀物或其他铁磁性杂质相对样品磁性的贡献,使得铁磁性的起源研究缺乏可靠依据、面临困难,而且半导体的实际应用也需要高质量、高迁移率的单晶薄膜。针对这些问题和目前的研究现状,本文的主要工作是ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的分子束外延生长及其性能研究。首先超高真空分子束外延设备生长高质量的单晶薄膜可以有效的避免铁磁性杂质相或是沉淀物,所制备单晶薄膜结构上的单一性和成分上的纯净性是其他制备方式生长的多晶或非晶样品所无法达到的;另外由于所制备单晶薄膜结构上的单一性和成分上的纯净性也使我们能更容易、更有依据的去研究其铁磁性的来源。 Zn_(1-x)Co_xO和Zn_(1-x)Mn_xO单晶薄膜的制备和原位表征是在我们自主设计的超高真空分子束外延设备上(德国SPECS制造)完成的。设备的设计、安装、调试及定标工作前后耗时两年。包括设计安装了设备外围的循环水路、高纯氧气气路;调试RHEED、XPS、氩离子刻蚀、石英晶体振荡器、氧气等离子体源等原位设备;对蒸发源、样品台的加热、降温进行定标;而且自己动手制作了Co、Mn、Fe、Cu等高温金属蒸发源,其价格低廉(不足进口产品的十分之一)、稳定可控、使用维修方便,完全可以满足大部分金属材料的生长使用。 我们选用同样具有六角结构的单晶(0001)Al_2O_3作为ZnO外延层的衬底。由于ZnO与Al_2O_3的晶格失配率很高(18%),通常采用复杂的生长工艺处理,同时引入AlN,MgO等缓冲层。为了更有利于过渡族金属搀杂外延生长,我们探索了ZnO低温缓冲层技术,简化了生长工艺。我们在相对较低的衬底温度450摄氏度下外延制备出ZnO单晶薄膜。原位的RHEED和XRD测量表明,所制备的ZnO薄膜是具有纤维锌矿结构的单晶薄膜。(0002)峰的摇摆曲线的半峰宽是0.3度。在这个基础上我们制备并研究了Co和Mn掺杂ZnO稀磁半导体单晶薄膜。 在超高真空下的分子束外延设备上制备出了室温铁磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体单晶薄膜。RHEED图像中没有其他任何杂点或杂线;XRD 2θ扫描只观察到ZnO(0002)和(0004)两个峰,表明Zn_(1-x)Co_xO薄膜是单晶样品。随着掺杂量的增加RHEED和AFM显示薄膜表面粗糙度在增加;XRD显示掺杂样品的晶格常数随着掺杂量的增加而增大;透射谱观察到了三个Co掺杂引起的特征吸收峰;XPS测量观察到Co的2P_(1/2)和2P_(3/2)两个峰的卫星伴峰(shake up),表明Co处于Co~(2+)的化学状态;这都证明掺杂单晶样品中Co~(2+)进入了氧化锌的六角晶格中取代了Zn~(2+)的位置。RHEED图像中没有其他任何杂点或杂线;XRD 2θ扫描只观察到ZnO(0002)和(0004)两个峰;Raman测量显示没有观察到磁性沉淀颗粒譬如Zn_yCo_(3-y)O_4或是Zn Co_2O_4等的其他振动峰;XPS测量表明Co处于Co~(2+)的化学状态表明样品中没有Co颗粒或是Co_3O_4等杂质相;这些测量证明Zn_(1-x)Co_xO单晶样品中没有磁性沉淀物等杂质相。在超高真空条件下用高纯金属蒸发源外延制备样品保证了Zn_(1-x)Co_xO样品的纯净,在测量磁性信号时非常小心谨慎,确保不会有磁性污染物污染样品。制备的纯ZnO样品被反复测量过,没有任何铁磁信号,只有一个抗磁信号。这就可以排除磁性来源于衬底、ZnO缓冲层或是他们的界面。而且随着掺杂量的增加整个样品的饱和磁化强度也在增加,这些测量都表明样品的室温铁磁性是本征的特性。室温下Zn_(0.95)Co_(0.05)O每个Co原子的饱和磁化强度大约为0.4μ_B。更低的掺杂量或是更高的掺杂量都会使每个Co原子的平均饱和磁矩降低,X=0.01时,每个Co原子的饱和磁化强度大约为0.19μ_B,X=0.12时,每个Co原子的饱和磁化强度大约为0.2μ_B。 我们Co掺杂ZnO稀磁半导体中的磁性起源可以用束缚磁极化子(Boundmagnetic polarons)模型来描述。掺杂的Co~(2+)以浅施主缺陷为媒介产生交换作用形成一个个磁极化子,这些磁极化子之间的耦合作用导致长程铁磁序,从而形成铁磁性。当掺杂量过低,Co~(2+)之间距离较远难以形成磁极化子,导致平均每个Co原子的饱和磁矩减小;当掺杂量较高,大量的掺杂Co~(2+)彼此处于最近邻的位置,这时Co~(2+)之间是反铁磁交换作用,同样导致平均每个Co原子的饱和磁矩减小。 另外我们制备了Mn掺杂ZnO单晶薄膜并对其进行了退火试验。RHEED、XRD显示制备态和退火样品都是单晶。而且XRD摇摆曲线的半峰宽表明,氧气等离子体源照射下退火样品的晶格质量变好;Raman表明制备态和退火样品中都没有其他杂质相或磁性沉淀物出现,说明我们退火实验是无结构破坏性的。氧气等离子体源照射下退火样品的室温铁磁性是本征的特性。光致发光谱显示样品的室温铁磁性与受主密切相关。氧气等离子体源照射下退火样品里的受主可能来源于O填隙、Zn空位或是二者都有,理论计算显示O填隙比Zn空位有着更低的能量。而且在氧气等离子体源照射下高温的退火过程也更有可能产生O填隙。变温光致发光谱显示受主束缚能大约0.134ev。 近来理论计算的结果显示,在Mn掺杂ZnO体系当中,最近邻的两个Mn是反铁磁相互作用,由此可预见在氧气等离子体源照射下退火样品当中,浅受主和最近邻的两个Mn之间也是反铁磁相互作用,从而使Mn与Mn之间形成铁磁交换作用。这种铁磁相互作用不能用Zener模型来描述,在Zener模型当中铁磁交换作用需要薄膜为P型,而我们样品是N型。我们的试验结果是对束缚磁极化子模型的补充,在Co掺杂ZnO体系当中施主电子作为交换作用的媒介,但是在Mn掺杂ZnO体系当中交换作用的媒介是局域的受主。产生束缚磁极子的交换媒介有的是施主、有的是受主,具体哪种媒介能导致铁磁交换作用这要看其周围的磁性元素,不同的磁性元素需要不同的交换媒介。这样束缚磁极化子理论就可以全面的解释ZnO基稀磁半导体的磁性起源。
【学位授予单位】:山东大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:O484

手机知网App
【引证文献】
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 杨善迎;ZnO基稀磁半导体薄膜材料的PLD制备及其性质研究[D];山东师范大学;2012年
2 吴兆丰;Co、Cr、Cu、Mn等过渡金属掺杂ZnO薄膜的合成与性能研究[D];苏州大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 郑志远;ZnO纳米线/片的MBE法制备及结构和光学特性研究[D];中国科学技术大学;2011年
2 张才建;PT系铁电薄膜生长及其性能研究[D];电子科技大学;2010年
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 李琳;季振国;张亚红;韩伟智;;氧化锌薄膜紫外光电导机理研究[J];半导体光电;2006年01期
2 朱丽红;许海军;姚志涛;李新建;;ZnO/Si纳米孔柱阵列的真空蒸镀及其光致发光特性[J];半导体光电;2008年01期
3 孙剑;白亦真;谷建峰;刘明;张庆瑜;;基片温度对金刚石上沉积ZnO薄膜特性的影响[J];半导体光电;2008年06期
4 唐平;廖雷;蒋坤朋;余卫平;覃爱苗;;基于可见光响应的纳米硒半导体器件[J];微纳电子技术;2012年01期
5 郭俊福;谢家纯;段理;何广宏;林碧霞;傅竹西;;Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)[J];半导体学报;2006年01期
6 李瑛;冯士维;杨集;张跃宗;谢雪松;吕长志;卢毅成;;ZnO单晶薄膜光电响应特性[J];半导体学报;2006年01期
7 张源涛;马艳;张宝林;杜国同;;氢化对ZnO发光性质的影响[J];半导体学报;2008年03期
8 冯士维;李瑛;孙静莹;谢雪松;杨集;张跃宗;卢毅成;;ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究[J];北京工业大学学报;2007年07期
9 马勇,王万录,廖克俊;ZnO薄膜的择优取向生长[J];材料导报;2003年S1期
10 贾晓林,张海军,谭伟;氧化锌薄膜研究的新进展[J];材料导报;2003年S1期
中国重要会议论文全文数据库 前4条
1 郝瑞亭;刘焕林;杨宇;;掺杂ZnO薄膜研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年
2 方庆清;汪金芝;焦永芳;李锐;;Co含量对Zn_(0.6)Co_xFe_(2.4-x)O_4结构与磁性的影响[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年
3 陈宇晖;姜建华;黄月霞;朱源泰;韦莉;;溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌透明导电膜及其性能研究[A];上海市化学化工学会2010年度学术年会论文集[C];2010年
4 江保锋;陈晓航;詹华瀚;周颖慧;王惠琼;李书平;康俊勇;;不同单体在ZnO(0001)-Zn极性面上生长的机制[A];第十二届全国MOCVD学术会议论文集[C];2012年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 钟泽;ZnO和AlN薄膜的MOCVD生长及其性质研究[D];中国科学技术大学;2010年
2 周小芳;一些简单氧化物半导体薄膜的LIV效应及其输运性质研究[D];昆明理工大学;2010年
3 任树洋;强磁场对真空蒸发薄膜生长的影响研究[D];上海大学;2011年
4 向嵘;氧化锌基紫外光电薄膜及器件的技术研究[D];长春理工大学;2011年
5 李莹滢;一维半导体纳米材料制备、性能及辐射探测器件研究[D];南京航空航天大学;2009年
6 刘洁;氧化锌单晶及激光辐照氧化锌单晶的光谱学研究[D];北京工业大学;2011年
7 刘成有;A_xZn_(1-x)O(A:Mg,Cd)薄膜材料与非线性光学性质[D];东北师范大学;2011年
8 孙锋;锂氮共掺杂p型ZnO的制备及其光电器件研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
9 王丽丹;纳米ZnO基有机/无机复合光伏器件研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
10 韩舜;MgZnO薄膜及其紫外光电探测器制备和特性研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 王铁柱;基于硅基波导声光移频器理论与技术的研究[D];长春理工大学;2010年
2 单海燕;ZnO薄膜的水溶液法制备及Li~+、柠檬酸钠对ZnO生长的影响[D];大连理工大学;2010年
3 翟纪伟;氧化亚铜粉末、薄膜的制备及其光催化性能研究[D];中国海洋大学;2010年
4 云广平;不锈钢基Cu_2O/TiO_2膜的制备及光催化性能研究[D];西安电子科技大学;2011年
5 马向丽;ZnO薄膜及其光电器件的室温制备及性能研究[D];浙江大学;2011年
6 于平坤;ZnO:Al透明导电薄膜的制备及性能研究[D];山东建筑大学;2011年
7 刘金营;ZnO准一维阵列的制备和表征[D];吉林大学;2011年
8 王佳佳;电沉积锌/氧化锌薄膜及生长机理[D];吉林大学;2011年
9 王玮丽;基于ZnO薄膜的低阈值电压压敏电阻[D];杭州电子科技大学;2011年
10 冯国彪;ZnO:Cu薄膜的制备及其光、电性能研究[D];电子科技大学;2011年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 谌小斑;贺英;张文飞;;ZnO纳米线及其器件研究进展[J];微纳电子技术;2008年10期
2 孙海波;石锋;曹玉萍;郭永福;刘文军;薛成山;;Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒[J];微纳电子技术;2010年05期
3 周济,张孝文;集成铁电学:信息材料的前沿领域[J];材料导报;1992年06期
4 梅金丽;田永涛;程亮;王新昌;李光明;李新建;;生长条件对ZnO纳米结构形貌的影响[J];材料导报;2008年S2期
5 刘红梅,邱成军,曹茂盛;PZT薄膜在MEMS器件中的研究进展[J];材料工程;2004年06期
6 何建廷;曹文田;;氧分压对PLD法生长Si(111)基ZnO薄膜性能的影响[J];电子元件与材料;2009年04期
7 程和;李燕;王锦春;邓宏;;ZnO纳米线的合成与生长机理[J];发光学报;2006年06期
8 孙开通;胡礼中;于东麒;李娇;张贺秋;付强;陈希;王彬;;PLD方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性[J];发光学报;2010年02期
9 沈坚;周明;李琛;张伟;吴春霞;蔡兰;;联合体驱使生长法制备ZnO纳米棒及其表征[J];发光学报;2010年04期
10 周镇宏,吴福根;晶体的铁电性及其实验判据[J];工科物理;1995年02期
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 赵佰军;声表面波用ZnO薄膜的制备及器件的初步研究[D];吉林大学;2004年
2 车平;ZnO基稀磁半导体的制备与性质研究[D];中国科学院研究生院(长春应用化学研究所);2005年
3 吕建国;ZnO半导体光电材料的制备及其性能的研究[D];浙江大学;2005年
4 冯秋菊;Fe基宽带隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体及FeSe异质结构的生长及特性研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2006年
5 李金华;Mn掺杂ZnO纳米晶的光学和磁学性质研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2006年
6 杨敏;纳米ZnO光电气敏原型器件的设计及性质研究[D];吉林大学;2007年
7 孙柏;PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究[D];中国科学技术大学;2007年
8 史同飞;ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究[D];中国科学技术大学;2007年
9 张军;多功能ZnO薄膜的制备与性能研究[D];兰州大学;2007年
10 滕晓云;ZnO和ZnO基稀磁半导体薄膜的PLD法制备及其特性研究[D];河北工业大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 刘佳宇;绒面氧化锌薄膜的研究及其在太阳能电池上的应用[D];河北工业大学;2006年
2 李介胜;ZnO纳米材料的制备、掺杂及性能研究[D];浙江大学;2007年
3 陈正才;工作参数对Zn_(1-x)Fe_xO薄膜结构和性质的影响[D];苏州大学;2007年
4 陈爱军;Si,Al_2O_3衬底上Fe掺杂ZnO薄膜结构及光致发光性质[D];苏州大学;2007年
5 叶志高;PLD(脉冲激光沉积法)制备ZnO基稀磁半导体薄膜及其性能研究[D];浙江大学;2008年
6 郝昕;一维ZnO材料的生长机理及其光电性能的研究[D];电子科技大学;2008年
7 王晓飞;射频磁控溅射制备Cu掺杂ZnO薄膜的结构及性质研究[D];苏州大学;2008年
8 居健;Cr掺杂ZnO薄膜的结构和性质研究[D];苏州大学;2008年
9 孔繁华;锆钛酸铅薄膜的制备及性能测试研究[D];中北大学;2008年
10 陈学梅;Cu掺杂ZnO薄膜的结构及性质的研究[D];苏州大学;2009年
【二级引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前5条
1 刘明;水热法制备过渡金属掺杂ZnO及其光学性质研究[D];西北大学;2011年
2 何晶晶;绒面掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备与表征[D];苏州大学;2011年
3 王飞;AZO透明导电薄膜的制备和等离子体表面处理[D];苏州大学;2012年
4 邢伟;AZO薄膜的溶胶—凝胶法制备及其性能研究[D];辽宁大学;2012年
5 蔡宗岐;过渡金属掺杂ZnO、SnO_2的微观结构和发光性能研究[D];沈阳理工大学;2013年
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 曾永志,黄美纯;TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2黄铜矿半导体的电磁性质[J];物理学报;2005年04期
2 修向前,张荣,徐晓峰,俞慧强,陈丽星,施毅,郑有炓;溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜[J];高技术通讯;2003年03期
3 郑文礼,李志文,韦志仁;采用水热法合成Mn_xZn_(1-x)O晶体[J];物理实验;2005年05期
4 危书义,王天兴,阎玉丽;III-V稀磁半导体研究进展[J];河南师范大学学报(自然科学版);2003年02期
5 范广涵;;磁调谐稀磁半导体(Cd,Mn)Te量子阱激光器[J];液晶与显示;1987年03期
6 霍国燕;陈秀英;王岩;霍国强;;稀磁半导体Zn_(1-x)Ni_xO的制备、结构和磁性[J];河北大学学报(自然科学版);2008年02期
7 王学忠,王荣明,陈辰嘉,马可军;稀磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的巨法拉第效应[J];半导体学报;1995年11期
8 侯登录;稀磁半导体的制备与性质[J];物理实验;2005年08期
9 李海涛,李晓莅,陈唏,刘继周,陈辰嘉,王学忠,韩一龙,林春,凌震,王迅;Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究[J];光谱学与光谱分析;1998年02期
10 韦志仁;刘超;李军;葛世艳;张华伟;林琳;郑一博;窦军红;;水热法合成Zn_(1-x)Mn_xO稀磁半导体(英文)[J];人工晶体学报;2006年01期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 赵德友;徐光亮;张磊;魏贤华;彭龙;刘桂香;;溶胶凝胶法制备Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的结构与性能研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
2 周蓉;窦秀明;孙宝权;;时间分辨克尔旋光测量稀磁半导体(Ga,Mn)As的有效g因子[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
3 王刚;宋波;刘宇;彭同华;陈小龙;;Al掺杂SiC的磁性研究[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年
4 蒋婧思;候延冰;唐爱伟;腾枫;;溶胶凝胶法制备Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体[A];第11届全国发光学学术会议论文摘要集[C];2007年
5 李钰梅;邢光建;王怡;武光明;;室温铁磁性Zn1-xCoxO薄膜的制备及磁性研究[A];第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集[C];2009年
6 程兴华;陈志涛;龚敏;于彤军;张国义;石瑞英;;稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
7 吴兆丰;吴雪梅;诸葛兰剑;;射频磁控溅射沉积Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其结构和磁性研究[A];第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集[C];2009年
8 潘峰;宋成;刘雪敬;;Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其相关性能[A];TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2007年
9 李东;王耘波;于军;王宝义;魏龙;;稀磁半导体研究的最新进展[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
10 韦志仁;王伟伟;李哲;罗小平;胡志鹏;;水热法合成ZnO基稀磁半导体晶体[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 郑家荣;磁性半导体研究获得进展[N];大众科技报;2009年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 陈逸飞;氧化锌基稀磁半导体的第一性原理研究[D];天津大学;2012年
2 肖文志;非磁性元素掺杂氧化物基稀磁半导体的第一性原理研究[D];湖南大学;2011年
3 江凤仙;3d过渡金属掺杂In_2O_3稀磁半导体材料的制备与研究[D];太原理工大学;2011年
4 樊帅伟;钙、钛和碳掺杂的稀磁半导体及双核锰分子磁体性质的研究[D];华中科技大学;2009年
5 顾浩;Co、Fe掺杂ZnO稀磁半导体结构与磁性能研究[D];浙江大学;2012年
6 陈伟;Zn_(1-x)TE_xO(TE=Mn,Co,Cu)稀磁半导体块材样品制备及磁性[D];华中科技大学;2005年
7 左亚路;化学方法制备的稀磁半导体的结构和磁性研究[D];兰州大学;2009年
8 周雪云;稀释磁性半导体研究[D];兰州大学;2009年
9 马荣荣;In_2O_3稀磁半导体及其与La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3异质结构的制备与研究[D];山西师范大学;2013年
10 李金华;Mn掺杂ZnO纳米晶的光学和磁学性质研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 王永强;过渡金属元素Co和Mn掺杂ZnO稀磁半导体块材样品的制备及磁性[D];华中科技大学;2005年
2 袁明霞;氧化锌纳米棒阵列的制备与掺杂及其特性研究[D];吉林大学;2009年
3 栾洪霞;氧化锌稀磁半导体制备与性能的研究[D];华东师范大学;2011年
4 刘超;ZnO基掺杂稀磁性的研究[D];河北大学;2006年
5 齐娜乔;溶胶凝胶法制备钴掺杂二氧化钛型稀磁半导体及其性能研究[D];浙江大学;2007年
6 蒋婧思;氧化锌掺铁稀磁半导体的制备和性质研究[D];北京交通大学;2008年
7 高洪;溶胶凝胶法制备In_2O_3基稀释磁性半导体及其性质的研究[D];武汉理工大学;2008年
8 李云龙;Ni、Cu掺杂ZnO基稀磁半导体块材样品的制备及磁性研究[D];华中科技大学;2007年
9 乔双;Mn掺杂Ge/Si基稀磁半导体薄膜的磁性研究[D];河北师范大学;2009年
10 卫燕燕;ZnO基稀磁半导体的结构、磁学和输运性质研究[D];河北师范大学;2009年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026