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《河南大学》 2009年
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Pb_nS(n=1-13)和Si_mSb(m=1-14)团簇基态结构和电子性质的第一性原理研究

伍良福  
【摘要】: 本文应用密度泛函理论中的广义梯度近似分别对Pb_nS和Si_mSb团簇进行了结构优化,通过分析Pb_nS和Si_mSb团簇的结构和电子性质,得到了Pb_nS的幻数结构和键合性质以及Si_mSb团簇的幻数结构。本文具体内容如下: 第一章主要介绍了密度泛函的有关理论,如密度泛函理论的特点、密度泛函理论的概念等。在介绍密度泛函理论的概念时,主要介绍Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程以及他们的证明过程。另外还对交换关联能和密度泛函理论的计算方法及马利肯布局数分析进行了介绍。 第二章首先对Materials Studio软件包进行了介绍,然后再进一步介绍Dmol~3软件包,最后再分析了用密度泛函理论研究Pb_nS团簇和Si_mSb团簇的理论意义。 第三章我们对Pb_nS和Si_mSb团簇结构和电子性质进行研究。首先,应用密度泛函理论中的广义梯度近似对Pb_nS团簇的结构和电子性质进行了系统地研究,并对频率和能量进行计算,得到了Pb_nS团簇的最低能量结构,通过分析Pb_nS团簇的平均结合能、二阶能量差分、最高分子占据轨道和最低分子空轨道间的能隙及垂直电离势,发现4和10是Pb_nS团簇的幻数。最后对Pb_nS团簇的布局数进行分析,得到Pb_nS团簇中键的结合是以共价键和离子键的方式共存。其次,仍应用密度泛函理论中的广义梯度近似对Si_mSb团簇结构和电子性质进行了研究,通过分析Si_mSb团簇的平均结合能、二阶能量差分、最高分子占据轨道和最低分子空轨道间的能隙以及分裂能等电子性质,得到了4、10和12为Si_mSb团簇的幻数。
【学位授予单位】:河南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2009
【分类号】:O481

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