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《武汉理工大学》 2006年
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用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长IrO_2薄膜的研究

夏明祥  
【摘要】:IrO_2薄膜因具有良好的抗氧化性能、很强的催化活性以及很好的抗腐蚀性等,可广泛应用于电极材料、微电子、固态燃料电池和气敏元件等许多领域。 论文基于脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备了IrO_2薄膜。重点研究了氧分压、衬底温度、激光输出能量、靶间距等PLD工艺参数和后续退火对其结构和性能的影响,以得到高质量的IrO_2薄膜。结果表明:各种工艺参数对于薄膜的物相和结构影响很大,较低的氧分压得不到纯的多晶IrO_2薄膜,而衬底温度、激光能量、衬底和靶之间的距离、退火温度影响薄膜的取向和微观形貌。通过对IrO_2薄膜生长条件的探索,找到了生长高质量IrO_2薄膜的优化条件:氧分压20Pa,衬底温度500℃,激光能量140mJ,衬底和靶的距离50mm,退火温度700~750℃。XRD、SEM和AFM等测试分析表明:在此条件下沉积的IrO_2薄膜沿(101)取向生长,厚度均匀,界面清晰,与硅衬底表面结合良好,其表面粗糙度为3.9nm。利用四探针测试技术测得IrO_2薄膜的室温电阻率达到37±1.5μO·cm,已极接近块体单晶IrO_2薄膜的电阻率,适于作电极材料。
【学位授予单位】:武汉理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:TB383.2

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【参考文献】
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【共引文献】
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6 叶海;TiO_2薄膜的制备及特性表征[D];暨南大学;2003年
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【同被引文献】
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【二级参考文献】
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1 安茂忠,王久林,杨哲龙,张景双,屠振密;电沉积方法制备功能性金属化合物薄膜[J];功能材料;1999年06期
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1 夏明祥;用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长IrO_2薄膜的研究[D];武汉理工大学;2006年
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7 黄洁;ReBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜的制备与表征[D];苏州大学;2009年
8 周玉棠;多层磁电薄膜的制备及性能研究[D];电子科技大学;2008年
9 陈凌翔;IA族元素(Li、Na)掺杂的p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备与性能研究[D];浙江大学;2008年
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