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GeS_2基硫系玻璃陶瓷的微晶化机理、可控制备及其性能研究

林常规  
【摘要】: 本文系统研究了GeS2及其准二元与三元体系玻璃陶瓷的微晶化机理、可控制备和性能。基于该系统硫系玻璃可控微晶化机理的探索,制备了具有多种功能(如激光频率转换、固态电解质、多光谱(可见和红外)成像、稀土离子发光增强等)的硫系玻璃陶瓷复合材料。主要结果与结论如下: 1.基于Ge-S二元相图和热学性能分析,在GeS2玻璃中制得了仅析出红外倍频晶相β-GeS2、具有持久红外倍频功能的硫系玻璃陶瓷,最大有效二阶非线性极化系数达7.3 pm/V。 2.引入Ga2S3可改变GeS2基玻璃的析晶行为,通过确定准核化速率曲线,达到可控的核化和晶体生长,并由90GeS2·10Ga2S3玻璃制得了仅有GeS2相析出的体析晶透红外玻璃陶瓷,由80GeS2·20Ga2S3玻璃制得了仅析出Ga2S3晶相的纳米晶玻璃陶瓷。研究表明,GeS2-Ga2S3准二元体系玻璃的相变行为随Ga2S3量的增加而变化。在相变行为深入研究的基础上,建立了一个GeS2-Ga2S3玻璃的网络结构模型。 3.对GeS2-Ga2S3-MX(Ag2S、LiI或CsCl)准三元体系的微晶化机理进行了系统研究。引入Ag2S,由70GeS2·15Ga2S3·15Ag2S玻璃获得了析出优异红外非线性光学晶体AgGaGeS4的玻璃陶瓷,最大有效二阶非线性光学系数deff达5.79 pm/V,与采用极化手段得到的结果相近;引入LiI,由65GeS2·25Ga2S3·10LiI玻璃制得了性能可控的透红外纳米晶玻璃陶瓷,相比于基础玻璃,热-机械性能和离子电导率显著提高,而中红外透过率保持基本不变,并有良好的二阶非线性光学性能;引入CsCl,制得了可见全透过的硫系玻璃,在获得GeS2-Ga2S3-CsCl玻璃的类核化速率曲线的基础上制得了一系列可重复的、中红外高透过的玻璃陶瓷,可望应用于多光谱窗口材料;发现25GeS2·35Ga2S3.40CsCl:0.3Er玻璃陶瓷的发光性能与基础玻璃相比增强了一个数量级,表明该玻璃陶瓷在固态激光器等方面有潜在应用前景。


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