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《湖南大学》 2001年
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双极压控晶体管特性的理论建模及其计算机模拟分析

金湘亮  
【摘要】: 概述了电力电子器件的发展过程,分析了双极—MOS功率器件的发展 现状,说明电力电子器件的发展难以满足应用领域对大功率、宽频率范围 的要求。详细的研究分析了一种新型半导体功率器件—双极压控场效应晶 体管(BJMOSFET)的结构特点、工作原理,这种器件拥有BJT和MOS两者 的优点,具有功率大、频率宽等特点;并建立了BJMOSFET直流特性的三种 解析模型、频率特性(大信号和小信号)模型和开关特性模型,讨论了其温度 特性和功率特性;得到了该器件直流、频率、开关、温度和功率等特性的有 关表达式,指出了器件结构优化设计的方向;在这些模型的基础上,采用数值 计算和解析模拟的方法,利用多种器件和电路模拟软件对BJMOSFET进行 了计算机模拟分析,初步验证了理论分析计算的结果,为器件的实际生产提供 了理论依据。
【学位授予单位】:湖南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2001
【分类号】:TN32

【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 张斌;半导体器件分布式模拟系统的设计[D];湖南大学;2003年
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 张秀澹;;功率集成电路的发展概况[J];半导体情报;1991年03期
2 李学宁,李肇基,吴世勇,唐茂成;新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制[J];半导体学报;1997年01期
3 刘海涛,陈启秀,白玉明;一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT[J];半导体学报;1999年12期
4 曾云,金湘亮,颜永红,刘久玲,成世明;Numerical Simulation of BJMOSFET on Current- Voltage Characteristics[J];半导体学报;2000年11期
5 金湘亮,曾云,成世明,张红楠;双极—MOS功率半导体器件的发展动态[J];半导体杂志;2000年03期
6 张为佐,白继彬;电力电子技术发展的新动向[J];电力电子技术;1996年04期
7 弓小武,樊昌信,刘玉书;一种新型 MOS 控制功率器件[J];电力电子技术;1997年02期
8 周宝霞,陈治明,周如培;大功率复合器件的 PSPICE 模拟[J];电力电子技术;1997年03期
9 曾云,金湘亮,颜永红,刘久玲,成世明;双极型压控晶体管直流特性的数值模拟(英文)[J];电子器件;2000年03期
10 金湘亮,曾云,颜永红,成世明,龚磊,盛霞,樊卫;BJMOSFET静态特性的解析模型及模拟分析[J];功能材料与器件学报;2001年02期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 孙强;夏璐;;高温(火灾)环境下钢构件的动力稳定临界长度[J];四川建筑科学研究;2009年06期
2 樊卫,曾云,盛霞,晏敏;BJFET阻断能力分析及计算机模拟[J];半导体技术;2002年10期
3 褚丹雷;非接触式压力微传感器的设计[J];微纳电子技术;2002年02期
4 何进,张兴,黄如,杜彩霞,韩磊,王新;电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论[J];半导体学报;2000年08期
5 曾云,金湘亮,颜永红,刘久玲,成世明;Numerical Simulation of BJMOSFET on Current- Voltage Characteristics[J];半导体学报;2000年11期
6 赵异波;电力电子器件发展概况及应用现状[J];半导体杂志;1999年03期
7 金湘亮,曾云,成世明,张红楠;双极—MOS功率半导体器件的发展动态[J];半导体杂志;2000年03期
8 李群高,叶伟,王维,邵晓丽;公交车调度的数学模型[J];北京建筑工程学院学报;2003年04期
9 陆建明,时亚光;基于Mathematica平台的数学实验[J];常熟高专学报;2002年04期
10 赵异波;;电力电子器件发展概况及应用现状(下)[J];电工技术;1999年10期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 宋博岩;赵万生;何永辉;李振波;;电火花加工脉冲电源的新发展[A];第八届全国电加工学术年会论文集[C];1997年
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1 吴宏;弹丸膛内外运动及其对射击精度影响研究[D];南京理工大学;2002年
2 罗军;定粒生丝纤度管理研究[D];苏州大学;2002年
3 李晓林;单螺杆精密挤出机理的研究[D];北京化工大学;2003年
4 侯国勇;桁架式展开结构设计、分析及试验[D];浙江大学;2008年
5 王明斌;有压隧洞结构稳定性力学模型研究[D];山东大学;2009年
6 谢海情;SOI基透明电极压控横向PIN光电二极管的研究[D];湖南大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 郑军;基于ANSYS的大功率模块的分析[D];沈阳工业大学;2011年
2 杨朋飞;微型介入机器人控制系统设计及其综合性能实验分析[D];南京航空航天大学;2010年
3 廖斐;大功率射频激光电源功率控制技术研究[D];华中科技大学;2011年
4 陈维;固态高频感应加热电源的研究[D];西安理工大学;2000年
5 王骞;在线式UPS全电路的PSPICE实现[D];福州大学;2001年
6 孙松儿;移相控制软开关PWM技术的研究[D];西北工业大学;2001年
7 蔡良灏;数学软件在问题解决中的作用与影响[D];福建师范大学;2001年
8 阮国武;Mathematica与数学实验[D];福建师范大学;2001年
9 成世明;电子器件模拟软件中的MOSFET建模[D];湖南大学;2002年
10 霍光;变频技术在电选机高压直流控制系统中的应用及研究[D];昆明理工大学;2002年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 吴金,杨廉峰,刘其贵,吴平,魏同立;半导体器件的并行模拟分析[J];电子器件;1999年02期
2 李国华;半导体量子器件物理讲座 第四讲 共振隧穿器件及其电路应用[J];物理;2001年07期
【二级引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 刘丽媛;基于Python的半导体测试软件系统的设计与实现[D];北京交通大学;2013年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 李学宁,李肇基,吴世勇,唐茂成;新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制[J];半导体学报;1997年01期
2 刘海涛,陈启秀,白玉明;一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT[J];半导体学报;1999年12期
3 金湘亮,曾云,成世明,张红楠;双极—MOS功率半导体器件的发展动态[J];半导体杂志;2000年03期
4 何湘宁;用PSPICE多瞬态分析法建立新型电力电子器件的模型特性[J];电力电子技术;1995年03期
5 陈星弼;MOS型功率器件[J];电子学报;1990年05期
6 李学宁,唐茂成,李肇基,李原,刘玉书;MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究[J];电子学报;1996年05期
7 曾云,颜永红,陈迪平,曾健平,冯辉煜;双极型压控晶体管模型及原理[J];微细加工技术;1997年03期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 冯国进,黄敞,李国辉;模拟HBT电流增益截止频率新方法[J];北京师范大学学报(自然科学版);1996年01期
2 吴金,杨廉峰,刘其贵,吴平,魏同立;半导体器件的并行模拟分析[J];电子器件;1999年02期
3 刘诺,谢孟贤;高电子迁移率晶体管器件模型[J];微电子学;1996年02期
4 严利人,郭进,李瑞伟;PCM参数的多元回归模型及其应用[J];微电子学;2003年04期
5 牛萍娟,刘宏伟,郭维廉,李晓云;器件模拟对AlGaAs/GaAs RTD的特性分析(英文)[J];微纳电子技术;2004年10期
6 宋瑞良;毛陆虹;郭维廉;余长亮;;基于肖特基栅共振隧穿三极管的器件模拟与实验分析(英文)[J];半导体学报;2008年06期
7 谢晓锋,于奇,刘永强,杨谟华;短沟道MOSFET器件物理模型研究[J];微电子学;1998年03期
8 郑英兰;李佳;吴春瑜;钟玲;;非对称型GCT缓冲层的特性分析[J];辽宁大学学报(自然科学版);2009年01期
9 韩萌;;基于MEDICI的MOS晶体管器件模拟[J];科技信息;2010年26期
10 徐向东;集成电路工艺和器件一体化模拟的实用化研究[J];固体电子学研究与进展;1988年04期
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1 孙浩;王成刚;;单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟[A];2006年全国光电技术学术交流会会议文集(E 光电子器件技术专题)[C];2006年
2 黄勇光;段宝兴;罗萍;;超薄硅层REBULF LDMOS的工艺仿真和设计[A];四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集[C];2006年
3 刘一鸣;刘玮;李长健;王赫;孙云;;铜铟镓硒太阳电池导带边失调值研究[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代[C];2008年
4 杜刚;刘晓彦;孙雷;韩汝琦;;50nm肖特基隧穿晶体管(SBTT)特性模拟[A];第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集[C];2000年
5 贡顶;宣春;张相华;;GSS软件1-0.1微米MOS器件基准测试[A];全国计算物理学会第六届年会和学术交流会论文摘要集[C];2007年
6 蒋欣;石玉;王华磊;赵宝林;杜波;;一种具有三换能器的低损耗声表滤波器的研制[A];第三届全国压电和声波理论及器件技术研讨会论文集[C];2008年
7 黄流兴;牛胜利;朱金辉;谢红刚;卓俊;韦源;;辐射效应与粒子输运蒙特卡罗模拟研究进展[A];中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第6册)[C];2009年
8 陈军;;高功率微波NEPTUNE程序中的并行计算及几何建模[A];中国工程物理研究院科技年报(2010年版)[C];2011年
9 毕津顺;曾传滨;刘刚;罗家俊;韩郑生;;面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究[A];中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会论文集(下篇)[C];2011年
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1 彭凯;大尺度HPM器件电磁PIC若干关键技术研究及应用[D];电子科技大学;2013年
2 刘莉;SiC MOS器件和电路温度特性的研究[D];西安电子科技大学;2008年
3 张金平;4H-SiC射频/微波功率MESFETs新结构与模型研究[D];电子科技大学;2009年
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