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室温磁致冷GdSiGe系合金的磁热效应、磁相变及其机制研究

陈远富  
【摘要】: 在阅读了国内外大量文献的基础上,本文详细综述了磁致冷材料特别是近室温磁致冷材料的发展现状及趋势。针对近年来国际上取得突破性进展的GdSiGe系合金,首先以国产2N级和3N级金属Gd为原料,对Gd_5Si_2Ge_2合金的一级磁相变和巨磁热效应的重现性进行了研究;研究了非化学计量比GdSiGe合金的磁热性能;然后研究了国产2N级Gd为原料的低成本GxiSiC~系合金;研究了合金化对GdSiGe合金磁热性能的影响;采用同步辐射XPS对GdSiGe系合金费米面附近的电子能带结构进行了分析;最后建立了一级晶体磁相变的数学物理模型,并对其相变机制进行了探索。本研究达到了预期目标,取得了如下创新性研究成果和新的研究进展: 1.采用国产2N级和3N级金属Gd为原料,对Gd_5Si_2Ge_2合金的磁热性能进行了研究。研究发现:1)以国产2N级Gd原料时,Gd_5Si_2Ge_2合金未能重现一级磁相变和巨磁热效应;2)以国产3N级Gd为原料时,在2*10~(-5)乇的真空系统中,在高纯(5N)氩气的保护下熔炼出的Gd_5Si_2Ge_2合金,在一级磁相变及巨磁热效应两方面都基本上重现了AmesLab.采用4N高纯Gd原料的Gd_5Si_2Ge_2合金的研究结果。国产3N级Gd原料的成本较AmesLab.的4N级Gd原料降低50多倍。Cd_5Si_2Ge_2合金磁热性能重现的成功,对于原材料国产化、降低合金成本具有较大的工程意义。 2.首次研究了非化学计量比GdSiGe合金的磁热性能。研究发现:1)适量的非化学计量比(如Gd_5Si_2Ge_2合金)不仅重现了一级磁相变,而且增强了合金的磁热效应,且能使居里点得到一定提高;2)过量的非化学计量比(如Gd_(52)Si_2Ge_2合金),则导致了合金一级磁相变的破坏以及磁热效应的大幅度降低。 四川 大学博士学位论文 3.以国产价格低廉的ZN级Gd为原料,通过调整臼:Ge比研究了低成本的 Gd(SlyGel、h系合金。研究发现:l)当把a:Ge比从 2:2调整到 1.9:2.!、1.刀:228 时,合金在居里点附近的等温磁化曲线从完全不表现出一级磁相变,过渡到不充分 的一级磁相变,再到比较充分的一级磁相变;2)Gdsil.才抒地合金表现出比较充 分的一级磁相变并获得了巨磁热效应。相对于3N级Gd原料而言,国产ZN级Gd 的成本较 3N Gd再阐610倍左右。这对开发廉价、高性能的 Gdsthe系合金具有 % 重要的工程意义;同时对该系合牟的一级磁相变及巨磁热效应产生鹏的研究也具 有理论和实践意义。 一,首次建立了ggff4+描述一级晶体磁相变(一级磁相变)过程的数学物理模 型一磁场诱发相变的滞后元模型并对该相变的机帘隧行了分析:1)合金被视为是 由多种临界诱发磁场强度不同的滞后元组成;2)磁场诱发相变是逐步进行的,相 变过程中铁磁相、JI3iffi+g两相是共存的:3)在居里点以上,在磁场诱发相变中出 现的铁磁相是亚稳态的,只有在磁场强度大于相应的临界相变磁场下才会存在,退 磁后又发生可逆相变;4)预测 GdsiGe合金的一级磁相变属于一种新型的切变型相 变,即磁场诱发马氏体相变;5)提出的切变相变机制能较好得解释杂质元素、替 代元素及组织诚份均匀性、单相性等对一级磁相变进而对磁热效应的影响。 5.采用同步辐射XPS对GdsiGe k电子能带结构分析后,发现:l)合金化 对GdsiGe系合金中Gd4f峰及附近低结合能端的复合能带峰、Ge-3d峰等在峰型、 峰位、峰宽及相对强度等方面产生了明显的影响,并且这些影响随合金成份的变化 出现了不同步变化,这表明GdSDe系合金随成份的变化,在磁相变、磁热性能等 方面应该有较大的差异;2)鞭、氧陪因素使 Gd4与 Geod区间的髓峰半 高宽减小、光滑性变差及出现小的锯齿峰,同时使oesd峰的相对强度减弱;这表 明:杂质本身及因杂质而出现的窄带效应,明显影响了合金中电子的关联耦合,特 别是对决定磁性能的4f电子的关联影响,从而对磁性能、磁相变可能产生重要影 响,导致一级磁相变的破坏及磁热效应的大幅度下降。


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