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《四川大学》 2005年
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电磁辐射对微带线干扰的数值模拟研究

张志刚  
【摘要】:随着电子技术的发展,电子设备的广泛应用,电磁环境日益复杂。研究电子设备对外界的辐射情况以及复杂电磁环境作用下设备的工作状态是电磁兼容学科中的重要内容。处在辐射形成的瞬变电磁场中的金属体,都会在其表面产生感应电流。本文从场的角度出发,研究了外界电磁辐射对微带线造成的影响。 本文基于场的观点,应用时域有限差分法(Finite-DifferenceTime-Domain Method)分析了不同电磁辐射激励对微带线的干扰和影响,得到了不同辐射条件下微带线的响应特性。这对于电磁兼容设计中进行干扰的有效抑制,简化模型分析过程都有重要意义。在模拟过程中,本文对模型建立、端口设置、激励源设置方法进行了细致深入的研究,给出了终端为短路、匹配、开路三种情况时的有效解决方法。在正弦平面波和高斯脉冲对微带线干扰的仿真中,本文模拟了不同角度入射情况下微带线终端短路、开路、匹配时的感应电压和电流的时域和频域响应特性。 正弦激励作用下,电场平行极化时,随着入射角度的增大,感应电流不断增大。高斯脉冲干扰时,微带线感应电压、电流的时域和频域特性随入射角度而变化。垂直入射时,脉冲对微带线干扰最强。在终端短路或开路时,高斯脉冲作用下的微带线分别在一些频点处响应最大,产生谐振效应。本文还比较分析了两条导带距离较近的耦合微带线与对应的宽导带微带线感应电压、电流响应关系,结果表明两种情况下电压和电流响应特性基本相同。 PN结是电子系统的构成基础,电磁辐射干扰将最终作用到PN结上。本文结合非耦合数值方法,通过求解半导体方程对PN结二极管进行模拟分析,得到了一些重要物理参量分布,这为深入研究电磁辐射对半导体元件的干扰奠定了基础。
【学位授予单位】:四川大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2005
【分类号】:O451

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