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《四川大学》 2006年
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CdSe单晶体生长工艺与探测器性能研究

任锐  
【摘要】:硒化镉(CdSe)晶体平均原子序数高,对射线的阻止本领强;禁带宽度大,电阻率高,漏电流较小;载流子的迁移率一寿命积较大,电荷收集效率高;化学稳定性好,不潮解,机械加工性能好。由于其具有上述优点,使CdSe成为一种新型的性能优异室温半导体探测器材料。但由于获得高质量的CdSe单晶比较困难,器件加工及制作工艺也还不成熟,制约了人们对CdSe核辐射探测器的深入研究及其核辐射探测器的应用。 目前,生长CdSe单晶的技术中,熔体生长技术需高压装置,且生长晶体电阻率较低;熔剂生长技术在晶体内部会残留微量熔剂,影响晶体性能:气相生长技术,因能制备出性能较好的单晶,电阻率达10~6Ω.cm而优于其余两种技术。但也还存在着一些尚未解决的问题,如完整性不够好、电阻率还不够高,使得生长晶体的质量还不够理想。为了改善探测器的性能,人们在器件加工制作工艺的研究上做了一定的工作,探测器的性能得到了一定的改进。但是能量分辨率仍然不够理想,工作稳定性也尚需进一步的提高。所以还需要对CdSe晶体生长和探测器制备工艺及其性能进行深入研究。 本文对CdSe单晶气相生长过程中的热力学参数进行了研究,计算了封闭体系中不同系统总压下平衡气相组成的变化,发现随系统总压力增大,平衡气相组成中分解组分所占的比例减小,晶体完整性增加:获得完整性较好单晶体的热力学条件是,采用较高的平衡蒸气压和较小的温度梯度:同时通过对CdSe
【学位授予单位】:四川大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2006
【分类号】:TN304

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【参考文献】
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